侯贝贝
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：天津大学理学院更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析被引量：1
- 2014年
- 利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710nm处出现新的吸收峰。1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的"类铍原子模型"。
- 侯贝贝阮永丰李连钢王鹏飞黄丽陈敬
- 关键词：中子辐照光学性质
- 中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响被引量：3
- 2013年
- 在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生变化,使电阻率升高、介电常数和介电损耗减小。测试表明:在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中,存在约为1000和1400℃两个特征温度。当退火温度低于1000℃时,随着退火温度的升高,电阻率小幅增加,而介电常数和介电损耗亦下降;在退火温度高于1 000℃时,电阻率开始下降。在退火温度高于1 400℃时,电阻率急剧地下降,而介电常数和介电损耗快速地增加。以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型,对上述现象做了定性解释。测试还表明,掺氮6H-SiC的介电常数高达3.5×104,这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化。
- 陈敬阮永丰李连刚祝威王鹏飞侯贝贝王帅
- 关键词：中子辐照退火电阻率介电性能
- 中子辐照半绝缘SiC单晶的光学性质被引量：6
- 2013年
- 利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1000℃的样品未出现任何发射峰;1200℃退火的样品在510、540和575nm处出现了3个绿色发射峰,其中,510和540 nm处的发射峰在经过1 600℃退火后依然存在。中子辐照导致SiC的截止波长由393 nm增大到1 726 nm;随退火温度提高,截止波长逐渐减小,并在1600℃退火后完全回复。Raman光谱显示:辐照诱发了许多新的振动模,如187、278、435和538cm-1处的Si—Si键振动模,600、655和709 cm-1处的Si—C键振动模和1419cm-1处C—C键振动模。辐照缺陷引起声子限制效应,表现为FTO2/6和FLO0/6Raman特征峰的不对称性展宽和红移。在低于1000℃退火阶段,主要表现为不对称性展宽和红移逐渐减弱;在高于1000℃退火阶段,主要表现为辐照产生的新Raman峰逐渐消失。
- 王鹏飞阮永丰侯贝贝陈敬
- 关键词：碳化硅中子辐照光学性质
- 中子辐照α-Al_2O_3单晶的光学性质研究
- 2012年
- 本文利用吸收光谱法、光致发光光谱法和拉曼光谱法对中子辐照的α-Al2O3进行研究。吸收光谱表明,中子辐照除产生F2、F2+、F22+和F3色心外,还能产生[Al-O]3-色心,它对应着325 nm和638 nm两个吸收峰,且具有较低的热稳定性,经300℃退火后消失。光致发光谱法除了检测到F2、F2+和F22+色心对应的发光峰外,还检测到625nm和657 nm发光峰。625 nm发光峰可能对应着高剂量中子辐照下特有的发光中心。657 nm发光峰是经800℃处理后唯一存在的发光峰,它可能来自于反位铝缺陷(AlO)。此外,拉曼光谱显示该剂量的中子辐照不能导致明显的拉曼峰频移和展宽。
- 祝威黄丽陈敬侯贝贝王鹏飞阮永丰
- 关键词：AL2O3中子辐照色心光学性质
