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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇陶瓷
  • 2篇聚硅氧烷
  • 2篇硅氧烷
  • 2篇SIC陶瓷
  • 1篇碳化硅陶瓷
  • 1篇无压烧结
  • 1篇裂解
  • 1篇接头
  • 1篇接头强度

机构

  • 2篇北京航空航天...
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京自动化控...

作者

  • 2篇李树杰
  • 2篇卢越焜
  • 1篇李星国
  • 1篇陈孝飞
  • 1篇毛样武
  • 1篇刘文慧
  • 1篇吴莹莹

传媒

  • 1篇复合材料学报
  • 1篇粉末冶金材料...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
采用聚硅氧烷SR355与纳米Ni粉混合物连接无压烧结SiC陶瓷被引量:7
2008年
无压烧结SiC陶瓷(SSiC)是重要的高温结构材料,连接技术是扩大其应用范围的关键技术之一。将活性填料纳米Ni粉添加到聚硅氧烷SR355中制成连接材料,通过反应成形连接工艺连接SSiC。研究了纳米Ni粉对SR355的裂解过程和陶瓷产率的影响,同时也研究了填料含量和连接温度对连接件强度的影响。结果表明,纳米Ni粉的加入促进了SR355的裂解并提高了其陶瓷产率。当纳米Ni粉含量为1%(质量分数)、连接温度为1050℃时,连接件经3次浸渍增强处理后的连接强度达到最大值。微观结构研究表明,连接层均匀致密,且与母材间界面结合良好,界面处发生了元素的扩散,纳米Ni粉在连接过程中参与了化学反应并促进了界面结合。
李树杰刘文慧卢越焜李星国毛样武
关键词:聚硅氧烷碳化硅
纳米Si粉对聚硅氧烷裂解及用其连接的SiC陶瓷接头强度的影响被引量:2
2011年
无压烧结SiC(SSiC)陶瓷是重要的高温结构材料,连接技术是扩大其应用范围的关键技术之一。将纳米Si粉添加到聚硅氧烷(SR355)中制成连接材料,通过反应成形连接工艺连接SSiC。结果表明,纳米Si粉的加入对SR355的交联固化以及裂解和结晶化过程有一定的抑制作用,并能增加其陶瓷产率,因而可减少中间层的气孔率和收缩率,有利于连接强度的提高。纳米Si粉的最佳添加量为2%(质量分数)。连接温度对接头强度有显著影响,在纳米Si粉添加量为2%、连接压力为40 kPa、保温时间为30 min的条件下,当连接温度为1 100℃时,连接强度达到最大值64.7 MPa。微观结构研究显示,该试样中间层由C、O和Si元素组成,界面结合较好,Si和O元素在界面区域发生扩散,有利于提高连接强度。
李树杰吴莹莹李姝芝卢越焜陈孝飞
关键词:碳化硅陶瓷
共1页<1>
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