李英
- 作品数：1 被引量：5H指数：1
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院光纤传感技术与信息处理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 157nm激光刻蚀晶体光纤SiO_2机理的研究被引量：5
- 2006年
- 为了研究157nm激光对S iO2材料的加工特性,用157nm激光刻蚀晶体光纤的端面,以晶体光纤的微孔轮廓作为参照,对刻蚀深度和烧蚀程度进行定量地分析。157nm激光的光子能量达7.9 eV,能够被S iO2强烈地吸收,会在S iO2上诱导出点缺陷结构,产生大量的种子电子。同时光纤S iO2材料的掺杂使157nm激光损伤的阈值大大降低,实际加工速率达210nm/脉冲。结果表明,由于单光子雪崩电离吸收的速率远高于高阶多光子吸收的速率,所以157nm激光对S iO2材料损伤的主要机理是单光子雪崩电离吸收过程,破坏其分别占一半的离子键和共价键。在刻蚀过程中会产生热量,但由于损伤产生的时间仅20ns,形成的热影响区很小,故可得到较高的加工质量。
- 李维来李英李伟
- 关键词：激光技术SIO2刻蚀光子晶体光纤
