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梁军浩

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国航天科技集团公司中国航天科技集团公司第四研究院更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇拓扑
  • 1篇拓扑结构
  • 1篇拓扑学
  • 1篇相场
  • 1篇相场法
  • 1篇相场法模拟
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒长大
  • 1篇晶粒生长

机构

  • 1篇中国航天科技...

作者

  • 1篇赵继伟
  • 1篇霍菲
  • 1篇梁军浩

传媒

  • 1篇热加工工艺

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
晶粒生长拓扑学的相场法模拟被引量：2
2012年
基于金兹堡-朗道理论,采用连续相场模型,研究了晶粒生长的拓扑学。结果表明,晶粒生长过程中存在两种拓扑转变机制,即近邻切换机制和晶粒消失机制;发现三边晶粒、四边晶粒、五边晶粒直接消失以及晶粒近邻切换现象,符合经典拓扑公式和欧拉公式,模拟结果与实验结果吻合。研究还发现了新的拓扑转变机制,四叉点直接分离,这种拓扑转变与经典欧拉公式存在差异。
霍菲梁军浩赵继伟
关键词：相场法拓扑结构晶粒长大
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共1页<1>
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