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何杉

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文基金：国家科技部专项基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇特高压
  • 1篇通态压降
  • 1篇阻断电压
  • 1篇结终端
  • 1篇晶闸管
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇西安电力电子...

作者

  • 1篇吴涛
  • 1篇高山城
  • 1篇袁渊
  • 1篇何杉

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
特高压晶闸管结终端造型技术被引量：1
2015年
分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术。该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大化。制造并测试了三种不同结终端造型技术的样品,测试结果表明,采用该技术的样品在不降低阻断电压(≥8 000 V)前提下,具有更小的漏电流(2.50 m A);在流过相同的通态电流(4 500 A)时,具有更小的通态压降1.782 V;而且反向恢复电荷、dv/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到全面优化。成功研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)电流为4 500 A、阻断电压为8 500 V的特高压晶闸管,其动态特性和参数的一致性满足设计及应用要求。
高山城李罛吴飞鸟吴涛袁渊何杉
关键词：结终端阻断电压通态压降
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