孔凡迪
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信电气工程理学金属学及工艺更多>>
- 一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法
- 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉...
- 陈诺夫魏立帅贺凯王从杰孔凡迪白一鸣王淑娟
- 文献传递
- 多晶硅厚膜太阳电池最佳厚度理论设计被引量：1
- 2015年
- 晶体硅太阳电池是生产工艺最成熟、性能最稳定、应用最广泛的光电转换器件。目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳电池厚度进行了理论分析,获得晶体硅太阳电池的最佳厚度为49 μm。今后,晶体硅太阳电池的发展趋势必然是厚度为49 μm的晶体硅厚膜结构。
- 贺凯陈诺夫孔凡迪白一鸣牟潇野杨博陶泉丽何海洋陈心一陈吉堃
- 关键词：太阳电池厚度
- 一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法
- 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉...
- 陈诺夫魏立帅贺凯王从杰孔凡迪白一鸣王淑娟
- 单晶硅快速磷扩散研究被引量：1
- 2017年
- 采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因。
- 孔凡迪陈诺夫陶泉丽贺凯王从杰魏立帅白一鸣陈吉堃
- 关键词：半导体材料P-N结
- 多晶硅厚膜制备及磷、硼快速扩散
- 能源危机已经成为当今世界上最受关注的问题之一，寻找清洁、丰富、可持续的替代能源是一个国际问题，其中太阳能光伏发电很具有吸引力，其发电主要依靠太阳电池。传统太阳电池的硅材料用量较大，同时制造过程中高温扩散过程较长，使得材料...
- 孔凡迪
- 关键词：扩散激活能磁控溅射半导体材料
- 石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析
- 2016年
- 以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本。
- 杨博陈诺夫孔凡迪牟潇野陶泉丽白一鸣陈吉堃
- 关键词：石墨退火
