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文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电路
  • 3篇放大器
  • 2篇可重构
  • 2篇宽带
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇分布式
  • 1篇大信号
  • 1篇大信号模型
  • 1篇电感
  • 1篇电平
  • 1篇电平控制
  • 1篇延时
  • 1篇射频
  • 1篇射频性能
  • 1篇输入阻抗
  • 1篇数控衰减器
  • 1篇衰减器
  • 1篇双模
  • 1篇双模式

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 8篇张巍
  • 5篇陶洪琪
  • 2篇余旭明
  • 1篇王维波
  • 1篇姚源
  • 1篇韩群飞
  • 1篇胡进
  • 1篇徐波
  • 1篇姚立华
  • 1篇吴礼群
  • 1篇蔡昱

传媒

  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2010
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
基于准物理区域划分(QPZD)的毫米波GaN HEMT大信号模型研究
基于0.15μm GaN HEMT工艺,建立了基于区域划分原理的GaN HEMT准物理基区域划分(QPZD)大信号模型,DC-Ⅳ、多偏置S参数和大信号特性表明晶体管模型具有很高的精度。所建的QPZD大信号模型在32-38...
姚源张巍陶洪琪徐跃杭
关键词:KA波段GAN
文献传递
一种分布式可重构超宽带功率放大器及其控制方法
本发明公布了一种分布式可重构超宽带功率放大器及其控制方法,该功率放大电路有连续波与脉冲两种工作模式,两种模式工作漏压、频段带宽与输出功率均不相同。其中,分布式可重构电路结构将部分晶体管作为可重构元件融合到复用的匹配网络中...
张巍林支慷陶洪琪吴瑞南叶川
采用金锡合金的气密性封装工艺研究被引量:20
2010年
根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点。实验选用Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装。通过大量试验得出了最佳工艺曲线(包括温度、时间、气氛和压力等)。密封后的产品在经受各项环境试验和机械试验后,其结构完整性、电学特性、机械牢固性和封装气密性均能很好地满足要求,证明了采用倒置型装配的金锡封焊工艺的可行性及优越性。
姚立华吴礼群蔡昱徐波胡进张巍
关键词:气密性封装钎焊
一种功率可重构匹配电路及功率放大器
本发明公开了一种功率可重构匹配电路,包括第一微带线TL1、第一偏置支路、第三微带线TL3、第二电容C2、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9、第二偏置支路、第一输入端...
张巍余旭明闫明松陶洪琪刘宪锁凌显宝
文献传递
一种双模式超宽带高效率功率放大电路
本发明公开了一种双模式超宽带高效率功率放大电路。该功率放大电路有大功率输出和小功率输出两种工作模式,两种工作模式工作在同一频段。其中,双模式工作超宽带匹配网络将开关管芯作为切换元件融合到两种模式共同的输出匹配网络中,利用...
陶洪琪张巍吴昊刘宪锁余旭明吴瑞南
文献传递
一种改善相位线性度的宽带高效率功率放大器
本发明公开了一种改善相位线性度的宽带高效率功率放大器,包括依次连接输入匹配网络、第一级晶体管单元、第一级级间匹配网络、第二级晶体管单元、第二级级间匹配网络、末级晶体管单元和输出匹配网络,所述第一级晶体管、第二级晶体管、输...
张巍刘宪锁伍园陶洪琪夏德娇吴瑞南陶海阳
一种带斜率控制的数控衰减器
本发明公开了一种带斜率控制的数控衰减器,包括串联在射频通路上的第一开关模块,以及分别并联在射频通路上的第二开关模块和第三开关模块,第二开关模块的一端连接第一射频端口,第二开关模块的另一端接地,第三开关模块的一端连接第二射...
吴霞韩群飞刘博王维波张巍张天羽
一种谐波融合的分布式放大器
本发明公开了一种谐波融合的分布式放大器,该放大器电路在传统分布式放大器结构基础上融合了谐波匹配技术。其中分布式放大器结构利用外部电感吸收作为功率基本单元的晶体管的内部寄生电容,形成漏极人工传输线和栅极人工传输线,解决了超...
张巍林支慷吴瑞南叶川陶洪琪
共1页<1>
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