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李默林

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:国家纳米科学中心更多>>

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 6篇分子
  • 4篇电学性能
  • 4篇氧化物
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇有机小分子
  • 4篇小分子
  • 4篇半导体
  • 2篇电极
  • 2篇电器件
  • 2篇有机分子
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇双极性
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇接地电极
  • 2篇晶体管
  • 2篇光电
  • 2篇光电器件
  • 2篇反相器

机构

  • 6篇国家纳米科学...

作者

  • 6篇江潮
  • 6篇王嘉玮
  • 6篇李默林

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2018
  • 1篇2016
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
反相器及其制备方法
本发明提供一种反相器及其制备方法。该方法包括:步骤1,在金属导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀...
江潮李默林王嘉玮
一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用
本发明提供一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用,所述场效应晶体管为在硅基底上具有介电修饰材料层,在该介电修饰材料层上具有螺旋生长的有机分子薄膜层,在该有机分子薄膜层上蒸镀金作为源电极和漏电极。本发明的有...
江潮刘天俊王嘉玮李默林
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一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用
本发明提供一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用,所述场效应晶体管为在硅基底上具有介电修饰材料层,在该介电修饰材料层上具有螺旋生长的有机分子薄膜层,在该有机分子薄膜层上蒸镀金作为源电极和漏电极。本发明的有...
江潮刘天俊王嘉玮李默林
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反相器及其制备方法
本发明提供一种反相器及其制备方法。该方法包括:步骤1,在金属导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀...
江潮李默林王嘉玮
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倍频器及其制备方法
本发明提供一种倍频器及其制备方法。该方法包括:步骤1,在栅极导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀...
江潮李默林王嘉玮
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倍频器及其制备方法
本发明提供一种倍频器及其制备方法。该方法包括:步骤1,在栅极导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀...
江潮李默林王嘉玮
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共1页<1>
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