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杨世波

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京航空航天大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇溅射
  • 1篇光学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇薄膜光学
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇杜建周
  • 1篇赵志敏
  • 1篇王东生
  • 1篇李永祥
  • 1篇陈会
  • 1篇杨世波

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
退火处理对LaAlO_3薄膜发光特性的影响被引量：1
2010年
在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800℃,900℃和950℃下进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计等研究了不同温度退火处理对LaAlO3薄膜结构、表面形貌及光学性质的影响。研究结果表明,LaAlO3薄膜样品在900℃开始由非晶向晶体转变,说明高温退火有利于提高结晶质量。光致发光(PL)谱测量发现样品在368,470nm位置处分别出现发光峰,各峰的强度随退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保持不变。根据吸收光谱和缺陷能级图,推测出368nm紫外光峰来源于电子从氧空位形成的缺陷能级到价带顶能级的跃迁,470nm附近的蓝光峰归因于电子从负价AlLa错位缺陷能级到价带顶能级的跃迁。
杜建周王东生谷志刚赵志敏陈会杨世波李永祥
关键词：薄膜光学射频磁控溅射退火处理光致发光
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