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肖岗

作品数:4 被引量:7H指数:2
供职机构:华中科技大学能源与动力工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技支撑计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子能带
  • 1篇对苯乙烯
  • 1篇态密度
  • 1篇离子浓度
  • 1篇硫化
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒生长
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇钙钛矿
  • 1篇苯乙烯
  • 1篇NS
  • 1篇SUB
  • 1篇CU
  • 1篇MONTE_...

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇肖岗
  • 3篇林一歆
  • 1篇谭凯
  • 1篇刘艳
  • 1篇张耀予
  • 1篇王岗

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇化学工程与技...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
三元共电沉积法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜
2018年
利用三元共电沉积制备金属前驱体,经预加热和硫化热处理后,成功合成了Cu_2ZnSnS_4薄膜。借助循环伏安法确定三元共沉积电位为E=-1.25V,考察pH值和电解液离子浓度对金属前驱体元素成分和物相的影响,筛选出电沉积的最佳工艺参数(8mmol/L SnSO_4,22mmol/L CuSO_4·5H_2O,22mmol/L ZnSO_4·7H_2O,200mmol/LNa_3C_6H_5O_7·2H_2O和pH值=5.7),沉积到成分比例接近最佳元素比的金属前驱体(n(Cu)/n(Zn+Sn)≈0.8,n(Zn)/n(Sn)≈1.2)。经300℃预加热后,金属前驱体转变成以Cu_5Zn_8和Cu_6Sn_5二元合金为主的金属固溶体,为后续硫化热处理形成纯相的CZTS奠定了基础。硫化过程中,硫化时间和硫化温度对薄膜结构形貌的影响显著。随着硫化时间的增大,CZTS的特征峰的强度增大,杂相衍射峰(Cu_(2-x)S、SnS和Cu_2SnS_3)的强度减弱,CZTS逐渐纯化。硫化时间为60min时,薄膜具有良好结构和形貌,而进一步硫化,易促使薄膜分解。过低的硫化温度会导致薄膜产生较多的二元和三元杂相,而硫化温度过高则会产生Sn和Zn的挥发流失。580℃时,CZTS薄膜的晶粒轮廓分明、晶界清晰、分布致密均匀,薄膜厚度约为2μm,与Mo层的接触紧密,无间隙,附着性增强。
刘艳肖岗张耀予王鹤辛松林一歆
关键词:离子浓度硫化
LaMn<sub>1-y</sub>Cu<sub>y</sub>O<sub>3</sub>催化剂对苯乙烯催化燃烧的性能研究
2019年
本文采用溶胶凝胶法制备了改性钙钛矿催化剂LaMn1?yCuyO3 (y = 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5),结合XRD、BET、XPS和H2-TPR表征手段研究了在Mn3+位掺杂不同量的Cu对钙钛矿型催化剂LaMnO3 (y=0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)的物理化学性质的影响,并考察了其催化燃烧苯乙烯的催化性能。在LaMnO3催化剂中掺杂Cu会改变催化剂的晶体结构,使催化剂的比表面积减小,Mn原子的价态发生转变。H2-TPR的结果表明在LaMnO3钙钛矿催化剂中掺杂Cu能显著提高催化剂的低温氧化还原性能,当y = 0.4的时候,催化剂的低温氧化还原性能最好。LaMnO3催化剂中掺杂Cu能提高催化剂的催化燃烧苯乙烯的性能,其中LaMn0.6Cu0.4O3 (y = 0.4)催化剂催化燃烧苯乙烯的效率最高,T50和T90分别为290℃和308℃。
辛松肖岗张润洁
关键词:钙钛矿苯乙烯催化燃烧
晶粒正常生长的Monte Carlo模拟被引量:2
2016年
本文建立了晶界能各向同性情况下晶粒生长的二维MonteCarlo模型,并对等温情况下的晶粒生长过程进行了模拟。在模拟过程中,对传统MonteCarlo方法中能量与概率统计方法进行了改进。为了更加直观地显示出晶粒生长过程中系统能量的变化,统计了在整个晶粒生长过程中能量的变化趋势,结果与晶粒尺寸变化相符合。模拟得到的晶粒生长指数在0.35~0.45之间,与理论值相符,证明了改进方法的可靠性。
王岗刘艳徐宗畅肖岗张耀予谭凯林一歆
关键词:计算机模拟晶粒生长
O、Se和Te掺杂对单层MoS_2电子能带结构和光学性质的影响被引量:5
2017年
利用密度泛函理论第一性原理,计算了本征单层MoS_2以及O、Se和Te掺杂单层MoS_2的结构参数、能带结构、氧化还原电势、态密度、光吸收特性和光催化潜力。结果表明,本征和掺杂单层MoS_2的晶胞参数、键长随原子半径的增大而增大,键角随原子半径的增大而减小。掺杂后禁带宽度变小,导电性增强。本征和掺杂的单层MoS_2的导带底电位负于水解制氢反应的还原势,其价带顶电位正于水解制氢反应的氧化势,均具有光催化水解制氢的潜力。但是,本征和O掺杂,由于价带顶与导带底电位相应于水的氧化还原势和电子空穴需求量均存在不平衡,使其光解水性能不理想。然而,Se和Te掺杂可以平衡其还原与氧化能力,改善单层MoS_2的光催化的性能,其中Se掺杂改善效果最为明显。同时,掺杂后的单层MoS_2对可见光吸收效率增强。此研究有助于筛选合适的单层MoS_2掺杂元素,提高单层MoS_2材料的光催化水解制氢性能。
张耀予肖岗王鹤林一歆
关键词:第一性原理态密度
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