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陈爱兰

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：上海第二工业大学城市建设与环境工程学院环境工程系更多>>
发文基金：上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体损伤
  • 1篇栅氧化
  • 1篇膜损伤
  • 1篇MOS

机构

  • 1篇上海第二工业...

作者

  • 1篇陈彪
  • 1篇陈爱兰

传媒

  • 1篇上海第二工业...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
等离子体工艺引起栅氧化膜损伤的分析被引量：2
2005年
目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代。随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流。等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能。本文讨论了等离子体工艺损伤的形成机理、充电损伤和辐射损伤两种损伤模式及减少等离子损伤的几种措施。最后提出了目前有待于进一步研究的问题。
陈彪陈爱兰
关键词：MOS
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共1页<1>
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