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魏锡盟

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇温度系数
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇基准源
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 1篇哈尔滨工程大...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇刘云涛
  • 1篇刘云涛
  • 1篇魏锡盟

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源被引量：4
2012年
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点。仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860μW,最低工作电压为1.24V,在-50℃～125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3dB。
刘云涛刘云涛魏锡盟
关键词：带隙基准源温度系数
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