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魏锡盟
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
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自动化与计算机技术
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合作作者
刘云涛
中国科学院微电子研究所
刘云涛
哈尔滨工程大学信息与通信工程学...
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作者
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刘云涛
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刘云涛
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魏锡盟
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微电子学
年份
1篇
2012
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带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源
被引量:4
2012年
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点。仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860μW,最低工作电压为1.24V,在-50℃~125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3dB。
刘云涛
刘云涛
魏锡盟
关键词:
带隙基准源
温度系数
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