黄晓峰
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 基于倒装焊结构的超宽带光电探测器设计被引量：2
- 2022年
- 设计并研制一种可用于微波光子链路、超快脉冲测量等领域的倒装焊结构超宽带集成型InGaAs光电探测器。探测器芯片有源区直径为6μm,垂直进光。器件的偏置和阻抗匹配网络集成在AlN载体上,通过倒装焊的方式与芯片混合集成,实现了对寄生参数的控制,达到高速、高效率的目的。实测器件响应度为0.6A/W,-3dB截止频率达到70GHz级别。阐述70GHz级别高性能InGaAs PIN光电二极管芯片的设计和倒装结构寄生参数对频率响应的影响,探讨通过控制寄生参数提升频率响应的方法。
- 王立严雪峰黄晓峰董绪峰崔大健
- 关键词：光电探测器倒装焊超宽带垂直入射
- 高速率通信用线列探测器芯片设计
- 2022年
- 阐述一款高速率阵列探测器芯片的设计,通过调整AGaAs材料中Al组分的占比,实现对芯片响应介质波长的调节,完成830~870nm谱响应范围的芯片设计。针对高速率应用,采用了台面结构设计,有效缩短载流子输运时间,利用多层DBR反射结构,指定波长范围内的反射率高达95%以上,单通道最高速率超过10GHz,峰值响应度≥0.50A/W,芯片响应度满足实际应用要求。
- 徐道润肖入彬王立董绪丰任丽黄晓峰崔大健
- 关键词：电子器件
- 级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
- 2020年
- 实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明,二极管暗电流主要来自于体暗电流,而非表面漏电流。在工作点偏压90V处,受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导,并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019 m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015 m-3。由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区,而吸收区缺陷占比很少,因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区。
- 张承黄晓峰迟殿鑫唐艳王立柴松刚崔大健莫才平高新江
- 关键词：暗电流
- InP基连续面型方形微透镜设计与制作技术研究
- 2023年
- 建立了非球面连续面型方形口径微透镜性能仿真模型,利用ZEMAX软件对10°视场、50μm周期、填充因子接近100%的磷化铟微透镜面型参数进行了优化设计。开发了衍射调制动态曝光与感应耦合等离子体刻蚀系统误差补偿方法制作出的磷化铟微透镜,其表面粗糙度小于2 nm,面型数据与设计值相比误差小于1/4工作波长,达到完善成像水平。
- 柳聪张为国刘锋崔大健张承黄晓峰高明友刘奎宇朱长林陈益民
- 关键词：填充因子粗糙度
- 基于多模干涉波导结构的90°光混频器设计与制作
- 2023年
- 设计并制作了一种基于多模干涉波导(MMI)结构的InP基90°光混频器芯片,该芯片的波导层材料为InGaAsP,包层和衬底材料为InP,芯片的单模波导宽度设计为2.6μm,多模干涉波导的长度和宽度分别设计为844和20μm。采用三维光束传播法(3D BPM),仿真分析了波导材料折射率、厚度、宽度和长度的工艺误差容限,仿真结果表明在1 535~1 565 nm波长范围内所设计的光混频器芯片的净插入损耗小于1 dB,相位偏差小于±5°。实验测试结果与仿真结果一致。
- 陈伟崔大建黄晓峰周浪肖入彬吴维刘昆左欣王立严银林
- 关键词：磷化铟相干光通信
- 一种25 Gbit/s背入射高速InAlAs雪崩光电二极管被引量：1
- 2022年
- 设计并制备了一种面向25 Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(SAGCM)结构,通过刻蚀工艺形成三层台面,将电场限制在最大台面倍增层的中心,有效降低了台面边缘击穿风险。器件采用倒装焊结构,背面集成微透镜,以提高光耦合孔径。研制的APD芯片在增益M=1时,对1310 nm波长光的响应度为0.84 A/W;在M=10时,3 dB带宽达到19 GHz;增益带宽积为180 GHz;在5×10^(-5)误码率下最佳灵敏度为-22.3 dBm,可支持100GBASE-ER4通信标准。
- 黄晓峰陈伟董绪丰敖天宏王立唐艳张圆圆罗鸣
- 关键词：雪崩光电二极管INALAS微透镜
- SiNx表面修饰在剥离技术中的应用
- 2022年
- 针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题,采用碱溶液处理SiNx表面,研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明SiNx表面处理后,胶膜底切宽度稳定性得到显著提高,绝对变化量1.8μm减小到0.2μm,相对变化量从177.2%降低到15.2%,制备出较好的剥离胶膜形貌,解决了InGaAs芯片批产过程中出现的电极图形剥离效果不稳定的问题。
- 刘海军张靖莫才平段利华闫应星黄晓峰
- 关键词：SINX表面处理稳定性
- 一种混合集成1×4阵列平衡光电探测器的设计
- 2023年
- 针对合成孔径激光雷达中单个光斑观测视场受限的难题,设计了一种由阵列平衡探测器芯片和阵列跨组放大器芯片混合集成的1×4阵列平衡光电探测器。阵列平衡探测器芯片采用4对背照式InPInGaAs平衡光电二极管单片集成的内平衡结构,降低芯片寄生电容,提高器件的响应频率和一致性。通过倒装集成工艺将阵列平衡探测器芯片和阵列跨组放大器芯片进行集成,缩减像元间距,扩大成像视场。搭建测试系统对进行探测器性能评测,结果显示,其有效像元率达到100%,共模抑制比为33dB,3dB带宽为102MHz,等效噪声功率密度为2.0pW/Hz1/2,增益实现三档可调,整体输出增益一致性为99%,满足合成孔径激光雷达大幅宽成像需求。
- 周浪崔大健黄晓峰任丽陈伟董绪丰彭正鑫严银林
- 关键词：阵列合成孔径激光雷达
- InP基稀释光波导特性分析
- 2012年
- 从InP基稀释光波导的基本模型出发,利用有限差分波束传播(FD-BPM)算法,推导了InP基稀释光波导的有效折射率,对其进行了数值计算;根据光传输损耗方程,分析了稀释波导传输损耗产生的原因;对稀释光波导中TE/TM模式传输进行了详细的数值分析和模拟计算,并分析了其模场分布曲线。
- 崔大健陈昊黄晓峰高新江
- 关键词：传输特性
- 基于Cl_2基气体的InP/InGaAs干法刻蚀研究被引量：1
- 2009年
- 对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究。发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAs时InP侧壁内切,在InP和InGaAs界面存在侧壁不连续问题。而用Cl2/CH4/H2刻蚀时,两层侧壁是平整连续的,且刻蚀区表面的粗糙度也比较小。分析了两种气体组合的刻蚀机理,对上述实验现象给出了解释。
- 唐龙谷田坤黄晓峰蔡娟露陈维君龚敏石瑞英
- 关键词：INGAASINPICP
