孙翔
- 作品数：4 被引量：9H指数：1
- 供职机构：上海大学通信与信息工程学院新型显示技术及应用集成教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究被引量：9
- 2015年
- 讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff>106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。
- 陈龙龙张建华李喜峰石继锋孙翔
- 关键词：迁移率
- 栅绝缘层气氛处理对TFT器件特性影响的研究
- 本文研究的目的：基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响，会出现阈值电压为负值，不能满足器件驱动的要求，由此生产的氧化物器件会出现电流无法关断或低电压下器件开启的技术...
- 陈龙龙张建华李喜峰石继锋孙翔
- 关键词：阈值电压迁移率IGZO
- 等离子体处理对非晶IGZO柔性薄膜晶体管性能的影响（英文）被引量：1
- 2018年
- 研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH_3等离子体和N_2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。结果表明等离子体类型及处理时间对阈值电压、场效应迁移率、开关比、亚阈值摆幅(SS)和偏压稳定性都有影响。TFT器件用NH_3等离子体处理10 s显示出最佳的器件性能,阈值电压达到0.34 V,场效应迁移率为15.97cm^2/Vs,开关比为6.33×107,亚阈值摆幅为0.36 V/dec。提出的柔性IGZO-TFT是下一代柔性显示驱动装置较好选择。
- 陈龙龙孙翔石继锋
- 关键词：薄膜晶体管等离子体处理
- 基于柔性PI垫底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究
- 本文讨论了基于柔性PI垫底上的底栅结构TFT器件工艺,TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用SiNx/SiOx双层结构,通过工艺改进解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状,有效解决了薄膜沉积带入的断线风...
- 陈龙龙李喜峰石继锋孙翔张建华
- 文献传递
