李悦
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安工程大学环境与化学工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅自然科学基金陕西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- Pd/SiO_2溶胶的制备及性能表征
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶法,以甲基三乙氧基硅烷(MTES)为疏水性前驱物,PdCl2为Pd源,制备Pd/SiO2溶胶,研究钯含量对Pd/SiO2溶胶的黏度、稳定性、粒径分布、化学结构的影响以及Pd元素的物相转变情况。结果表明:随着钯含量的增加,Pd/SiO2溶胶的黏度逐渐增加,凝胶时间逐渐缩短,Zeta电位逐渐降低,胶粒平均粒径逐渐增大,当Pd/Si摩尔比达到0.10以后,溶胶粒子的粒径分布变宽,平均粒径略有减小,甚至使Zeta电位变为负值,溶胶的聚集稳定性劣化。为获得稳定性好且粒径分布较窄的Pd/SiO2溶胶,应选择Pd/Si摩尔比≤0.08。Pd/SiO2溶胶以Si-O-Si键为主,体系中具有疏水性的Si-CH3基团,所形成的SiO2分子具有线型结构,钯含量的增加对Pd/SiO2溶胶的化学结构影响不大。Pd/SiO2溶胶真空干燥后,Pd元素主要以PdCl2的形式存在,经350℃焙烧,PdCl2还原为单质Pd。
- 杨靖李保松王亚莉李悦
- 关键词：溶胶-凝胶法ZETA电位粒径分布
- Pd/SiO_2有机-无机薄膜的制备及其在N_2气氛中的热稳定性被引量：1
- 2015年
- 采用溶胶-凝胶法,在甲基化改性SiO2溶胶中掺杂PdCl2,制备Pd/SiO2有机-无机薄膜.通过XRD、红外光谱、TG-DTG分析、接触角以及SEM测试,考察该样品在N2气氛中的热稳定性.结果表明,Pd/SiO2膜材料经200℃以上温度焙烧后,样品中即出现了少量纳米金属Pd粒子,这些金属Pd为PdCl2还原所得.随着焙烧温度的升高,金属Pd粒子的衍射峰强度增加,膜材料中的Si-CH3吸收峰和Si-OH吸收峰减弱.样品中的Si-CH3吸收峰在750℃时完全消失.金属Pd的掺杂对SiO2膜材料的化学结构基本没影响.保持Pd/SiO2有机-无机薄膜及分离膜疏水性的最适宜焙烧温度为350℃.
- 杨靖许好李保松霍翔李悦
- 关键词：溶胶-凝胶法疏水性热稳定性
- Ag/SiO_2抗菌材料的制备及抗菌性能研究被引量：4
- 2014年
- 以甲基三乙氧基硅烷为疏水性前驱物,采用溶胶-凝胶法制备单质银掺杂的疏水性二氧化硅(Ag/SiO2)材料。通过XRD、紫外-可见光谱和红外光谱分析,对Ag/SiO2材料的物相和化学结构进行了表征,并研究了其对大肠杆菌和地表水样的抗菌性能。结果表明,Ag/SiO2材料中的银元素以单质形式存在,具有疏水性Si-CH3基团,单质银的掺杂对Ag/SiO2材料的化学结构影响不明显。随着银含量的增加,Ag/SiO2材料的抑菌性明显增强,银含量nAg=0.15时,其对大肠杆菌抑菌率达91.86%,对地表水样的抑菌率达92.38%,具有较好的抑菌广谱性。
- 杨靖李悦李鹏程
- 关键词：溶胶-凝胶法抗菌
- 溶胶-凝胶法Pd／SiO2杂化材料的热稳定性和热分析动力学被引量：1
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶法，在甲基化改性SiO2溶胶中掺杂PdCl2，制备Pd／SiO2杂化材料，通过XRD、红外光谱、TG—DTG分析以及接触角测定，考察Pd／SiO2杂化材料在N2气氛中的热稳定性，用Coast—Redfern方程、Doyle方程，结合最概然机理函数的Malek推断法，求算Pd／Si02杂化材料在热分解过程中各阶段的热分析动力学三因子，结果表明，保持Pd／SiO2杂化材料疏水性的最适宜焙烧温度为350℃。在N2气氛中，Pd／SiO2杂化材料中-CH3的无机化过程包括4个阶段，各阶段具有不同的热分解动力学机理函数，其活化能分别为73．85、143．66、204．47和417．19kJ·mol-1，指前因子分别为1．20x10^12、2．27x10^13、8．50x10^11和1．03x10^20S-1。
- 杨靖李保松王亚莉李悦
- 关键词：溶胶-凝胶法疏水性热稳定性热分析动力学
- 甲基化改性SiO_2膜表面自由能的计算及方法比较被引量：4
- 2013年
- 以甲基三乙氧基硅烷(MTES)替代部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备甲基化改性SiO2膜。用几种已知表面张力的液体测定接触角,分别根据Owens二液法、扩展的Fowkes式以及van OssChaudhury-Good理论等方法求解了不同MTES与TEOS比例SiO2膜的表面自由能及其分量。结果表明,当n(MTES)/n(TEOS)≥0.8时,SiO2膜表面疏水性较好;3种方法计算所得SiO2膜表面自由能的变化规律相同,数值相差不大;随着MTES与TEOS物质的量比的增大,SiO2膜的表面自由能减小,膜表面疏水性的增加主要来自极性分量的贡献。根据van Oss-Chaudhury-Good理论求算出的极性分量比例较其余两种方法稍小。
- 杨靖王亚莉李保松李悦
- 关键词：二氧化硅膜表面自由能疏水性
