基于硅的电化学腐蚀基理,通过电化学阳极氧化法制备多孔硅结构,用扩散限制模型和Si的氧化原理来探究阳极氧化条件对多孔硅性质的影响。首先,研究HF对多孔硅孔隙率和刻蚀速率以及腐蚀界面的粗糙度的影响,然后研究了在不同电流密度时多孔硅的刻蚀特性。结果表明,在HF(49 wt.%)与乙醇的体积比为2:3的电解液中刻蚀多孔硅时,随电流密度的增大,多孔硅结构的孔隙度及刻蚀速率均逐渐增大;在电流密度为55 m A/cm2时,刻蚀速率随电解液中HF体积含量的增大而增大,多孔硅的孔隙度随HF体积含量的增大而减小;多孔硅-硅的界面粗糙度随电流密度和HF体积含量的增大而增大,在HF与乙醇的体积比高于3:2时多孔硅-硅的界面粗糙度很大,而且多孔硅膜层发生龟裂现象,这将严重影响多孔硅光学器件的发光质量。
