王新胜
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 超薄氧化层制备及其可靠性研究
- 2011年
- 文章简述了超薄氧化层SiO2的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法、氧化温度、氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响。实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm～5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3.H2O含量过高,会对衬底硅表面产生损伤,致使氧化层的早期失效高,击穿电荷量QBD差;在干氧N/O分压的过程中,采用N2退火,可有效地改善超薄氧化层的致密性,从而提高氧化层QBD。通过实验进行优化,在800℃、O2/DCE、N2退火条件下,可制备5nm氧化层,其可靠性能为:最大击穿电压49.1V,平均击穿电压7.1V,击穿电场16.62MV.cm-1,早期失效率3.85%,击穿电荷量QBD>15C.cm-2点可达61.54%。
- 刘国柱陈杰林丽许帅王新胜吴晓鸫
- 关键词：超薄氧化层TDDBQBD
- LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除被引量：1
- 2012年
- LPCVD多晶硅薄膜发雾对CMOS器件性能有重大影响,文章分析了多晶硅薄膜发雾的形成机理与影响因素,指出了低温、低压以及保持气路系统的清洁是消除多晶"发雾"的有效措施。根据多晶硅薄膜雾状斑点的形状与分布位置,对硅片表面缺陷的来源进行了分类,并从清洗工艺、污染物成分分析、前道工序等方面提出了相应的解决措施。
- 许帅徐超王新胜刘国柱
- 关键词：LPCVD多晶硅薄膜发雾
