秦璐
- 作品数：16 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 透明导电键合GaAs基InAs量子点和硅波导
- 设计并生长了可用于键合的、发光波长在1.2-1.3微米Ga As基InAs量子点材料,采用光刻胶做掩膜制作光子晶体图形,采用湿法腐蚀进行光子晶体刻蚀的工作,测量光子晶体结构InAs/GaAs量子点发光特性;利用ZnO溶胶...
- 秦璐任博徐波许兴胜
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器低温光电特性被引量：2
- 2019年
- 垂直腔面发射激光器通常被用作常温下 850 nm 波段短波长短距离光互连领域的激光光源,多在室温下进行测试和使用.在低温环境下垂直腔面发射激光器工作状态的表征是本文的研究重点.我们表征了在不同温度下直流驱动垂直腔面发射激光器的发光光谱和 10%占空比脉冲电流驱动垂直腔面发射激光器的发光光谱和功率-电流-电压曲线.通过测试激光器在室温和 10 K 温度下性能的变化,证明了现有的垂直腔面发射激光器在低温下仍能工作,激光器在 10 K 低温环境下仍可以作为光互连的光源使用,这一特点使得该激光器的应用范围可拓展至低温领域,预示着垂直腔面发射激光器在低温光互连系统中具有应用价值.
- 秦璐任杰许兴胜
- 关键词：激光器光谱
- 一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法。混合型激光器包括：带有透明导电介质ITO的硅基波导微腔结构；带有自然解理形成法布里‑波罗腔的Ⅲ‑Ⅴ族激光器；Ⅲ‑Ⅴ族激光器位于硅基波导微腔结构之上，二者通过PVA...
- 许兴胜秦璐黎星云
- 电泵浦量子点单光子源及其制备方法
- 本发明提供了一种电泵浦量子点单光子源及其制备方法，方法包括：步骤S101：准备III‑V族化合物量子阱发光芯片；步骤S102：在III‑V族化合物量子阱发光芯片上制作金属孔；步骤S103：在步骤S102制出的芯片表面引入...
- 许兴胜靳思玥秦璐
- 文献传递
- 利用大周期光子晶体结构增强InAs/GaAs量子点的激发态发光（英文）被引量：1
- 2019年
- 在该研究中,通过激光全息和湿法腐蚀的方法在InAs/GaAs量子点材料上制备光子晶体,研究了由激光二极管激发制备了光子晶体的InAs / GaAs量子点材料的光致发光光谱.发现具有光子晶体的量子点材料的光谱显示出多峰结构,光子晶体对短波长部分的发光增强和调制比对长波长部分的增强和调制更明显.InAs / GaAs量子点的光致发光光谱通过刻蚀形成的光子晶体结构得到了调控,并且量子点的激发态发光得到了明显增强.
- 秦璐徐波许兴胜
- 关键词：量子点光子晶体光致发光光谱
- 通信波段硅基二氧化硅片上可调谐量子干涉仪
- <正>相比于经典理论,量子信息技术利用其独特的量子力学特性在信息安全保护领域、计算效率等方面具有极大的优势。由于单光子灵活操作的特点使得它成为观察量子力学现象的一个极好的选择。对于基于光子的量子技术,为了提高其操作性能、...
- 黎星云秦璐张家顺任梅珍安俊明杨晓红许兴胜
- 文献传递
- 一种环形栅场效应晶体管
- 本发明提供了一种环形栅场效应晶体管，属于纳电子学技术领域。所述环形栅场效应晶体管包括：源极、沟道区和漏极；所述源极的材料包括已掺杂的砷烯纳米带；所述沟道区包括左侧砷烯纳米带延伸区，本征砷烯纳米带沟道，右侧砷烯纳米带延伸区...
- 宋顺杨身园秦璐宫箭
- 一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法。混合型激光器包括：带有透明导电介质ITO的硅基波导微腔结构；带有自然解理形成法布里‑波罗腔的Ⅲ‑Ⅴ族激光器；Ⅲ‑Ⅴ族激光器位于硅基波导微腔结构之上，二者通过PVA...
- 许兴胜秦璐黎星云
- 文献传递
- 通过量子阱和量子点共振能量转移制备单光子源的方法
- 本发明公开了一种通过量子阱和量子点共振能量转移制备单光子源的方法，该方法包括：准备一Ⅲ‑Ⅴ族化合物量子阱外延片；在Ⅲ‑Ⅴ族化合物量子阱外延片上生长金属层；在金属层淀积一层SiO<Sub>2</Sub>，利用光刻刻蚀去除部...
- 许兴胜黎星云秦璐
- 文献传递
- 可快速开关的狄拉克源极器件
- 本发明公开了一种可快速开关的狄拉克源极器件，包括第一电极、第二电极和沟道区，第一电极包括源极材料层，源极材料具有狄拉克锥型能带结构，第二电极包括二维材料层，沟道层的第一端与源极材料层通过共价键相连形成平面异质结，沟道层的...
- 宋顺杨身园秦璐宫箭
