黄勇
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：肇庆学院电子信息与机电工程学院更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 掺杂Dy^(3+)对SrTiO_3晶界层电容器组织性能的影响
- 2009年
- 研究掺杂Dy3+对SrTiO3晶界层电容器组织性能的影响。Dy3+的加入,在含量较低时可以降低晶粒的界面能,从而可以促进晶粒的长大;而在含量较高时,会引起较高的形变能,为降低形变能,Dy3+易于在晶界上析出第二相质点,这些第二相质点具有细化晶粒的作用。晶界层电容器的有效相对介电常数是由晶粒的大小、晶界层的介电常数和晶界层厚度所决定的。因此,瓷料的配方和制造工艺必须保证晶粒的生长和形成致密均匀的晶界,才有良好的性能。通过配方的调整,瓷片获得了良好的组织与综合性能:ε=68 000,tgδ=1.86×10-2,ρ50v=20 GΩ.cm,VB(DC)=620 V.mm-1,|△C.C-1(-25～+125℃)|=7.4%。
- 陈显明黄勇
- 关键词：SRTIO3晶界层电容器DY陶瓷
- MnO对SrTiO_3压敏电阻组织性能的影响被引量：1
- 2009年
- 本文研究了MnO加入量对SrTiO3压敏电阻器组织性能的影响。通过金相显微组织的观察,发现当MnO加入量达到0.1mol%时,压敏电阻晶粒尺寸比较大,且均匀致密。而对电性能的测试发现,压敏电压(E10、E1)、非线性系数α、损耗tgδ也是在MnO加入量达到0.1mol%时处于最低值,此时E10为5.09V,E1为3.42V,α为5.79,tgδ为0.38,电容量C却在此时取最大值,为105.21nf。同时还研究了压敏电阻器的焊接变化率,发现ΔE10、Δα都比较小,由此可见,焊接前后的性能比较稳定。
- 陈显明黄勇
- 关键词：SRTIO3压敏电阻MNO陶瓷
