张程
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 供职机构：福州大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划福建省发展和改革委员会资助项目福建省发展和改革委员会项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- CaCu3Ti4O12陶瓷巨介电响应机理探讨
- 目前，CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源基本上认为是内部阻挡层电容器（IBLC）机制，但对于晶粒和晶粒边界的导电性仍存在较大的争议。本文采用MnO2少量置换CCTO中CuO或者TiO2，固相反应法烧结制...
- 郑兴华张程刘馨汤德平肖娟
- 关键词：复合陶瓷巨介电常数类钙钛矿结构低介电损耗
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理被引量：7
- 2011年
- 针对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12（x=0~0.3）和CaCu3Ti4-yMnyO12（y=0~0.1）的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明：加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方（BCC）类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器（IBLC）所致。在较低温度下（〈1 100℃）烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。
- 郑兴华张程刘馨汤德平肖娟
- 关键词：巨介电常数低介电损耗
- ZnO-B_2O_3对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构和介电性能的影响
- 2011年
- 采用传统固相反应法,将ZnO-B2O3（ZB）与1 100℃预烧的CaCu3Ti4O12（CCTO）粉末混合烧结成陶瓷。探讨ZB对CCTO陶瓷显微结构和介电性能的影响,并进一步分析CCTO陶瓷的巨介电机理。结果表明：当添加少量ZB（w≤2%,质量分数）时,形成体心立方BCC类钙钛矿结构的CCTO单相;当w〉2%时,生成Zn2TiO4杂相;当ZB的添加量为0.5%和10%时,CCTO陶瓷的介电常数明显增大,介电损耗也较高;而当ZB的添加量为1.0%~5.0%时,介电常数的变化很小,同时具有较低的损耗和良好的温度稳定性。其中,w=2%时CCTO基陶瓷具有优异的介电性能（100 kHz）,即相对介电常数εr=336,介电损耗tanδ=0.018,介电常数温度系数τε=-1.5×10-5℃-1。ZB掺杂CCTO基陶瓷的阻抗谱表明：CCTO陶瓷由半导体化晶界和相对绝缘的晶粒构成,因此,其具有巨介电常数。
- 张程曾桂林郑兴华汤德平肖娟
- 关键词：ZNOB2O3巨介电常数温度系数
