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王立峰

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇结构层
  • 1篇LPCVD
  • 1篇P

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇贾世星
  • 1篇陆乐
  • 1篇王立峰
  • 1篇姜理利

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺被引量：5
2008年
对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系。实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率。生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1000。
王立峰贾世星陆乐姜理利
关键词：LPCVD多晶硅
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