田坤
- 作品数：15 被引量：30H指数：2
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- 一种850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计被引量：1
- 2013年
- 采用PICS3D软件建立了850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850nm氧化限制型VCSEL。在10μm氧化孔径下,与商用的850nm氧化限制型VCSEL相比,其阈值电流从1.8mA降至1.5mA,斜率效率从0.3W/A提升到0.65W/A。
- 丁锋张靖王品红田坤赵开梅
- 关键词：垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率
- ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响被引量：1
- 2013年
- 对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损伤的修复作用。XPS测试结果表明,与未经刻蚀的AlGaN表面相比,ICP刻蚀之后的AlGaN表面其表面氮空位VN明显增多,且Al2p、Ga3d等峰位均向高结合能方向漂移。分析讨论发现,ICP腔室压力过小或过大均不利于获得低损伤的刻蚀表面,此外,低温热退火(380℃-200s)对表面氮空位有一定的修复作用,但修复效果较为有限。
- 周勋田坤赵文伯龙维刚
- 关键词：ICP刻蚀XPS
- 5×5阵列光互连传输的模拟计算
- 2008年
- 模拟了5×5光互连模块在自由空间中的光学传输和成像特性,当垂直腔面发射激光器(VCSEL)为高斯光束输出时,分析了像面模场、探测器阵列的相对光能量分布,计算了成像光斑尺寸与模块间距和光源发散角的关系曲线,为设计模块结构和探测器阵元尺寸提供了理论依据。
- 王品红田坤
- 一种大功率低偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：5
- 2013年
- 设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振性的因素,在此基础上通过改变有源层量子阱的应变类型、应变量以及层数来达到高增益和偏振不敏感性。最后按设计工艺流程生长了芯片,实验结果表明,所设计的SLD芯片单管输出功率在100mA驱动电流下可达3.5mW,出射光谱FWHM约为40nm,20nm波长范围内偏振度为0.3dB,具有较理想的大功率、宽光谱、低偏振度特性。
- 刘科宋爱民田坤廖柯
- 关键词：超辐射发光二极管
- 1310nm大功率低噪声DFB激光器设计被引量：2
- 2014年
- 对工作波长为1 310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层（SCH）外延层的掩埋异质结构（BH）和脊波导结构（RWG）进行了建模仿真。计算结果表明：非对称SCH结构较对称SCH结构,可明显提高激光输出功率;相比于RWG结构,BH结构对载流子有更好的限制作用,从而降低相对强度噪声（RIN）。优化设计后的DFB激光器输出功率高达207mW@600mA,斜率效率为0.36W/A,边模抑制比为50dB,在1~30GHz范围内,激光器的相对强度噪声小于-160dB/Hz。
- 冯琛张靖田坤王培界黄茂
- 关键词：大功率DFB激光器
- InP晶圆背面减薄工艺中翘曲度的控制与矫正被引量：1
- 2020年
- 背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从"损伤层-翘曲度"理论出发,实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量,优化后晶圆的翘曲度降低了约20%;再通过湿法腐蚀去除损伤层,矫正已产生的翘曲,使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法,可使翘曲度下降至之前的10%以内。
- 张圆圆柳聪赵文伯莫才平董绪丰黄玉兰梁星宇段利华田坤张洪波
- 关键词：损伤层翘曲度湿法腐蚀
- 用于空间光互连的850nm VCSEL 4×4阵列的热场模拟被引量：1
- 2010年
- 作为空间光互连系统的发射部分,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列的热特性直接影响到光互连系统的稳定性。建立了850nm VCSEL 4×4阵列的热场数学模型,并利用有限差分法求解热传导和热扩散方程,得出了在VCSEL单元工作电流为10mA时阵列的热场分布:VCSEL单元有源层温度约为50℃;整个阵列的温度仅为38.65℃。依据此结果制作了850nm 4×4光互连模块,其每通道稳定传输速率达到1Gbit/s。
- 田坤朱少立王品红周玉红
- 关键词：光互连垂直腔表面发射激光器有限差分法
- 1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：2
- 2021年
- 设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管。设计的脊波导出光面TiO_(2)/SiO_(2)四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响。实验结果表明,在250mA直流电流驱动下,所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7mW,出射光谱FWHM约为37.3nm,光谱纹波系数低于0.15dB,TE模式输出光强占主导,偏振度约为19.2dB。
- 周帅许瑨田坤张靖庞福滨刘尚军任涛廖柯
- 关键词：超辐射发光二极管增透膜偏振度
- 1.3μm超辐射发光二极管的辐照性能研究
- 2011年
- 研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位移损伤剂量的概念,给出了器件功率衰减与位移损伤剂量的函数关系,对SLD器件在质子辐射条件下的功率衰退做出定量预测。
- 田坤丁鹏
- 关键词：超辐射发光二极管
- 质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究
- 2011年
- 介绍了空间辐射环境,利用SRIM程序来模拟计算10MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能损(NIEL)的关系,分析了不同能量质子在不同材料中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损伤对比,计算结果证明了利用SRIM软件模拟不同能量质子对超辐射发光二极管辐射损伤的可能性。
- 陆建松王品红田坤
- 关键词：质子超辐射发光二极管
