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吴浩

作品数:4 被引量:12H指数:2
供职机构:天津大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇压电
  • 3篇陶瓷
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇四元系压电陶...
  • 2篇准同型相界
  • 1篇电场
  • 1篇电滞回线
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇钛酸钡陶瓷
  • 1篇温度稳定性
  • 1篇PTCR陶瓷
  • 1篇S3
  • 1篇E3
  • 1篇EC

机构

  • 4篇天津大学

作者

  • 4篇吴浩
  • 2篇马卫兵
  • 2篇孙清池
  • 2篇曲远方
  • 2篇赵莎莎
  • 1篇江来

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇天津理工大学...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究
2007年
采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和SrCO3、BaCO3以提高材料的性能.通过X射线衍射(XRD)对合成后材料的物相进行了分析,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品表面的显微结构,并且讨论了Sr质量分数对材料介电、压电性能及温度稳定性的影响.实验结果表明:Sr^2+部分置换Pb^2+使得准同型相界向富Zr方移动,降低了居里温度,增大了介电半高宽值;当xSr取值范围0.02~0.04时,经960℃、126 0℃的烧结,系统的综合性能最佳.
吴浩马卫兵曲远方
关键词:压电陶瓷准同型相界
PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究被引量:10
2006年
采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3 (PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和Cr2O3以及改变Zr/Ti比来达到提高Kp和Qm的目的.同时也对Zr/Ti比对材料温度稳定性的影响进行了分析.实验结果表明:在960℃的预烧温度、1240℃的烧成温度下,添加少量的MnO2、Sb2O3 和一部分Cr掺杂,得到综合性能优良的压电材料:室温下介电常数ε33T/ε0=1669,压电常数 d33=285×10-12C/N,机械品质因数Qm=2179,机电耦合系数Kp=54.9%,介电损耗tanδ=0.4%.可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求.
赵莎莎孙清池吴浩
关键词:压电陶瓷准同型相界温度稳定性
溶胶-凝胶法制备PTCR陶瓷被引量:2
2005年
以钛酸丁酯和乙酸钡为主要原料,硝酸钇作为施主加入物,乙酸为溶剂,乙二醇为稳定剂,采用溶胶-凝胶方法制备了BaTiO3粉体,并用此粉体制得PTCR陶瓷.通过XRD分析物相、扫描电镜观察粉体颗粒的大小及陶瓷的显微结构.结果表明:实验获得的PTCR陶瓷性能优良,具有室温电阻率29.9Ω·cm,升阻比在104以上,电阻温度系数为12%.
马卫兵吴浩曲远方江来
关键词:溶胶-凝胶法钛酸钡陶瓷
压电位移材料电场E3和应变S3的关系
2005年
研究了PSN-PZT三元系压电陶瓷退极化电场Ed,d33极大值时的饱和电场Es与矫顽电场Ec的关系.研究结果表明,PSN-PZT三元系压电陶瓷的矫顽电场为13.6kV/cm,退极化电场Ed小于矫顽电场Ec,更小于它的饱和电场Es.
赵莎莎孙清池吴浩
关键词:电滞回线
共1页<1>
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