奚水清
- 作品数：4 被引量：18H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InGaAs单光子雪崩焦平面研究进展(特邀)被引量：3
- 2023年
- 雪崩光电二极管(APD)是一种高灵敏度光电器件。按照工作电压的不同可分为线性APD和盖革APD。其中,盖革APD的工作电压高于击穿电压,利用半导体材料内部载流子的高雪崩增益可实现单光子级信号探测,也被称为单光子雪崩光电二极管(SPAD)。InGaAs材料SPAD在0.9~1.7μm光谱范围内有高量子效率,是1.06、1.55μm主动激光探测的理想探测器。通过将高效率InGaAs SPAD阵列芯片与CMOS计时/计数读出电路芯片集成封装,制备的雪崩焦平面探测器可对光子信号进行时间量化,在三维激光雷达、远距离激光通信、稀疏光子探测等领域有广泛应用。介绍了InGaAs单光子雪崩焦平面的器件结构及基本原理,在此基础上回顾了国内外雪崩焦平面技术的研究进展,并对未来发展方向进行了展望。
- 崔大健敖天宏奚水清奚水清高若尧张承雷勇
- 关键词：INGAAS单光子探测器激光通信
- 32×32InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列
- 针对单脉冲激光三维成像应用需求,研制了由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的32×32阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模...
- 张秀川高新江陈伟奚水清迟殿鑫姚科明王玺
- 关键词：三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
- 文献传递
- InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制被引量：14
- 2015年
- 设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现纳秒级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能。测试结果表明,倒装混合集成的GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为32.5kHz,单光子探测效率(PDE)均值为19.5%,单元时间抖动为465ps,实现了光脉冲时间信息的探测,验证了盖革模式雪崩焦平面阵列技术及其在三维成像中应用的可行性。
- 张秀川蒋利群高新江陈伟奚水清姚科明兰逸君卢杰
- 关键词：三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
- 星载高灵敏度平衡光电探测器研究被引量：2
- 2020年
- 设计了一种由平衡光电二极管芯片和跨阻放大器混合集成的星载高灵敏度平衡光电探测器。平衡光电二极管芯片采用双InP-InGaAs光电二极管单元单片集成的内平衡结构,以降低芯片自身噪声,提高探测器灵敏度。通过Cadence仿真软件对集成了正负双向电流输入电路、自动增益控制电路和反相器型输入电路的闭环放大器结构进行了仿真,得到等效噪声功率、带宽和增益三者之间的关系,制作出适配平衡光电二极管芯片的跨阻放大器。搭建1.55μm激光测试系统对研制的探测器进行性能测试,结果显示,其3dB带宽为1.58GHz,等效噪声功率密度为5.96pW/Hz^1/2,共模抑制比为42.04dB(@DC^1.58GHz),在相干激光通信系统中的接收灵敏度达到-61dBm。
- 崔大健周浪奚水清任丽兰枫郭精忠
- 关键词：高灵敏度
