李涛涛
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响被引量：1
- 2015年
- 利用射频磁控溅射法在n型Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN),采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明,当负偏压为0V时,沉积所得h-BN薄膜表面粗糙度较低、结晶性良好、c轴垂直于衬底且以层状模式生长;随着负偏压的增加,薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长,表面粗糙度增加,且h-BN经亚稳相E-BN和wBN向c-BN转变,使得BN薄膜相系统更加混乱,不利于高质量层状h-BN薄膜的获取。
- 龚甜吴隽李涛涛龙晓阳祝柏林祁婷
- 关键词：六方氮化硼SI衬底射频磁控溅射粗糙度相变
- 特定手性单壁碳纳米管的可控生长
- 2016年
- 单壁碳纳米管具有优异的电学、光学、热学、力学等性能,可能成为未来纳米器件的支撑材料之一。实现碳纳米管的结构可控生长制备依然面临着严峻的挑战。其中手性控制是单壁碳纳米管可控制备的最大挑战,它的实现标志着直径、壁数、手性角及导电属性等的可控制备。以特定手性单壁碳纳米管的可控生长为中心,分别综述了利用化学气相沉积法在粉体生长与表面生长两方面实现手性可控生长的研究进展,并在此基础上总结出基本思路,为实现单一手性碳纳米管的可控制备奠定基础。
- 唐磊卢会芬李涛涛方建慧姚亚刚
- 关键词：单壁碳纳米管手性化学气相沉积
- H_2/(Ar+H_2)流量比对AZO薄膜结构及光电性能的影响
- 2012年
- 在Ar+H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度;H2/(Ar+H2)流量比为5%时,AZO薄膜的最小电阻率为1.58×10-3Ω.cm,最大霍尔迁移率和载流子浓度分别为13.17cm2.(V.s)-1和3.01×1020 cm-3;AZO薄膜在可见光范围内平均透光率大于85.7%。
- 朱胜君王俊李念李涛涛吴隽祝柏林
- 关键词：AZO薄膜射频磁控溅射法
- O_2/(O_2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V_2O_5薄膜缺陷类型的影响
- 2017年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol%V_2O_5(ZnO∶V)薄膜,研究了O_2/(O_2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响。研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中。ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(V_O)和间隙锌(Zn_i)杂化形成的复合体,两者比例随O_2/(O_2+Ar)流量比而变化。
- 张俊峰吴隽龙晓阳祝柏林李涛涛姚亚刚
- 关键词：ZN射频磁控溅射缺陷态
