陈文锁
- 作品数：4 被引量：80H指数：2
- 供职机构：重庆大学电气工程学院输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 一种隐埋缓冲掺杂层高压SBD器件新结构
- 2021年
- 提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证。与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬底上方引入隐埋缓冲掺杂层,将反向击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到肖特基势垒区域,提升了反向静电释放(ESD)能力和抗反向浪涌能力,提高了器件的可靠性。与现有表面缓冲掺杂层(ISBD)高压SBD相比,该IBBD-SBD重新优化了漂移区的纵向电场分布形状,在保持反向击穿点发生在肖特基势垒区域的前提下,进一步降低反向漏电流、减小正向导通压降,从而降低了器件功耗。仿真结果表明,新器件的击穿电压为118 V。反向偏置电压为60 V时,与ISBD-SBD相比,该IBBD-SBD的漏电流降低了52.2%,正向导通电压更低。
- 高闻浩孙启明冉晴月简鹏陈文锁
- 关键词：肖特基势垒二极管击穿电压漏电流
- 超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究
- 2023年
- 基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸与压缩弯曲使NMOS的阈值电压最大漂移0.46 mV,使PMOS阈值电压最大漂移0.33 mV。漏极电流随变形量线性变化,NMOS压缩时系数为-0.13295,NMOS拉伸时系数为0.00601。PMOS拉伸时系数为-0.10447,PMOS压缩时系数为-0.1107。电阻阻值随变形量呈线性变化,当掺杂浓度分别为1×10^(19),2×10^(19),3×10^(19),4×10^(19),5×10^(19)时,系数分别为247,498,766,1016,1301。电容最大变化值和初始值不超过0.5%,结论归纳为无失配影响。这些结果与实验吻合,验证了模型的正确性,为研制降低退化的柔性硅基集成电路打下基础。
- 杨洪张正元陈仙易孝辉陈文锁
- 关键词：超薄硅基
- 基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控被引量：22
- 2018年
- 碳化硅（silicon carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。
- 曾正邵伟华陈昊胡博容陈文锁李辉冉立张瑜洁秋琪
- 关键词：SICMOSFET驱动电压
- SiC器件在光伏逆变器中的应用与挑战被引量：65
- 2017年
- 高效、高功率密度和高可靠的性能指标一直是新能源变换器的发展目标。SiC器件可以突破传统Si器件的性能极限,是下一代高性能新能源变换器的基础。针对光伏发电系统,梳理了光伏逆变器的技术现状,总结了新能源变换器对效率、功率密度、可靠性和成本的持续技术需求,归纳了SiC器件在光伏逆变器中的技术优势和应用现状。最后,结合实验结果,从开关振荡、串扰、短路耐受能力、驱动、封装、大功率模块、热交互材料等方面,提出了SiC光伏逆变器的若干关键技术挑战,为下一代光伏逆变器的开发提供了若干研究方向。
- 曾正邵伟华胡博容陈昊廖兴林陈文锁李辉冉立
- 关键词：SIC器件光伏逆变器高功率密度
