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冯万鹏

作品数:2 被引量:6H指数:1
供职机构:西南技术物理研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇雪崩
  • 1篇时钟
  • 1篇时钟树
  • 1篇缓冲器
  • 1篇工作温度
  • 1篇功耗
  • 1篇光子
  • 1篇光子计数
  • 1篇反相器
  • 1篇SPAD
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇ENCOUN...

机构

  • 2篇西南技术物理...

作者

  • 2篇冯万鹏
  • 1篇覃文治
  • 1篇石柱
  • 1篇胡俊杰
  • 1篇王鸥
  • 1篇宋志鹏
  • 1篇代千

传媒

  • 1篇电子科技
  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 2篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于Encounter的低功耗时钟树综合研究
2015年
以基于Cadence CCOPT引擎设计时钟树为例,介绍了以降低时钟树功耗为主要目的,使用门控技术,以及选择合适缓冲器、反相器构建时钟树的方法。通过完成物理设计动态仿真和功耗分析的数据表明,在保证时序收敛的前提下,使用门控技术和选用不同缓冲器、反向器对整个时钟树的功耗及性能影响进行分析。实验结构表明,对使用门控技术芯片的功耗在不同的操作条件下,整个时钟树上的功耗节省约50%;适合使用缓冲器和方向器构建时钟树。同时,在使用达到相同驱动的能力缓冲器和反相器情况下,使用缓冲器的时钟树较使用反相器的时钟树节省30%。
冯万鹏王鸥纪应军宋志鹏
关键词:时钟树功耗缓冲器反相器
用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计被引量:6
2015年
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法。设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验。结果表明:对于准200μm的SPAD,在过偏2 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)准20 k Hz;对于准50μm的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 k Hz。最后对实验结果进行了分析和讨论。
纪应军石柱覃文治代千冯万鹏胡俊杰
关键词:工作温度电场分布
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