您的位置: 专家智库 > >

张华伟

作品数:3 被引量:8H指数:2
供职机构:西安飞行自动控制研究所更多>>
发文基金:中国航空科学基金国家重点实验室开放基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程交通运输工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇压电
  • 2篇压电陶瓷
  • 1篇电性能研究
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇直接合成法
  • 1篇双筋
  • 1篇陶瓷
  • 1篇偏角
  • 1篇陀螺
  • 1篇无铅
  • 1篇无铅压电
  • 1篇无铅压电陶瓷
  • 1篇相结构
  • 1篇激光
  • 1篇激光陀螺
  • 1篇合成法
  • 1篇O+
  • 1篇O3

机构

  • 3篇西安飞行自动...
  • 2篇西北工业大学
  • 1篇西安科技大学

作者

  • 3篇张华伟
  • 2篇高峰
  • 2篇刘宇刚
  • 1篇刘向春
  • 1篇许杰
  • 1篇刘元正
  • 1篇兰佩锋
  • 1篇张明辉
  • 1篇李俊慧

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇中国惯性技术...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
KNNS-BNKZ无铅压电陶瓷的制备及其电性能研究被引量:3
2018年
采用传统固相法中的直接合成法和两步合成法制备了0.96(K_0.48Na_0.52)(Nb_1-x_Sb_x)O_3-0.04(Na_0.82K_0.18)_0.5Bi_0.5ZrO_3(KNNS-BNKZ)无铅压电陶瓷,研究了(Bi,Na,K)ZrO_3添加方式,以及Sb摩尔分数对KNNSBNKZ材料显微组织结构和电性能的影响规律。结果表明,采用直接合成法得到的KNNS-BNKZ陶瓷在室温下为四方相,而采用两步合成法得到的陶瓷在室温下为正交-四方两相共存,且随着Sb摩尔分数的增加,陶瓷材料的密度增大,室温下的相对介电常数增大,压电常数增大,居里温度降低。采用两步合成法制备的Sb摩尔分数为0.06的KNNS-BNKZ陶瓷具有最佳电性能:室温下,相对介电常数εr=1 659,介电损耗tanδ=0.038,居里温度T_C=243℃,压电常数d_33=138pC/N。
郭艺婷许杰刘宇刚张华伟李占京高峰
关键词:直接合成法无铅压电陶瓷
激光陀螺腔长控制镜改进设计被引量:4
2013年
腔长控制镜影响激光陀螺谐振腔的光束形状、光强等参数,是制约激光陀螺精度提高的重要因素之一。减少激光陀螺腔长控制镜的位移扭偏,提高腔长控制镜的环境耐受性,能够直接改善激光陀螺的性能。通过研究激光陀螺腔长控制镜的基本机理,分析了腔长控制镜单筋方案和双筋方案的典型结构和特点,给出了提高反射镜抗扭偏能力的设计方法,设计并实现了新型双筋腔长控制镜结构。改进的腔长控制镜仅由3种零件、2种材料构成。经过仿真分析和试验验证,设计的腔长控制镜可以有效抵抗反射面的歪斜扭偏,在-50℃~+70℃工作范围内,抗扭偏能力提高5~10倍,同时实现了低成本和高稳定性。
刘元正张明辉张华伟兰佩锋
关键词:激光陀螺
Zn/Li掺杂PZT-PZN-PNN压电陶瓷的研究被引量:1
2017年
采用传统固相合成法制备了Zn/Li掺杂的0.83Pb(Zr_1/_2Ti_1/_2)O_3-0.11Pb(Zn_1/_3Nb_2/_3)O_3-0.06Pb(Ni_1/_3Nb_(2/3))O_3(PZT-PZN-PNN)压电陶瓷,研究了不同含量的Zn/Li添加量对陶瓷的相结构、显微组织和电性能的影响。结果表明,随着Zn/Li掺杂量的增加,相结构由三方相向四方相转变;介电常数ε_r、压电常数d_(33)和机电耦合系数k_p均先增大后减小,而介电损耗tanδ和机械品质因数Q_m呈先减小后增大的趋势;当添加质量分数w(Zn/Li)=1%时,该压电陶瓷的综合性能最佳,即d_(33)=513pC/N,k_p=0.635,ε_r=1 694,tanδ=0.023 5。该材料有望用于制造低温共烧的叠层压电器件。
李俊慧李蕾蕾刘宇刚刘宇刚张华伟刘向春刘向春
关键词:压电陶瓷相结构压电性能
共1页<1>
聚类工具0