李国军
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe HBT高增益宽带低噪声放大器设计被引量：1
- 2013年
- 基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声系数和高增益等特性,适合于射频或中频信号处理系统。芯片采用板上芯片(COB)方式测试,结果表明:在10～800 MHz工作频带内,单片集成低噪声放大器的噪声系数为1.62～1.90 dB,增益35 dB,输入输出端口反射系数分别小于-16 dB和-13 dB,1 dB压缩点输出功率为13 dBm,工作电流35 mA。单片集成低噪声放大器的芯片面积仅为0.48 mm×0.38 mm。
- 李国军徐永祥
- 关键词：高增益
- 数控跳频滤波器
- 本实用新型公开了一种数控跳频滤波器，它涉及通信领域中的一种数控跳频滤波器模块器件。它由存储器、驱动器、1至24组开关电路阵列、滤波器电路构成。它采用并行码控制字使存储器产生256个滤波器中心频率点地址码，输入驱动器驱动开...
- 李宏军刘宗武要志宏李国军汤炜刘晓红郑升灵李明武乐柏林许悦王志会
- 文献传递
- CMOS宽带I/Q解调器的设计
- 2013年
- 设计了一款基于CMOS工艺的高动态范围宽带I/Q解调器。该解调器电路包括射频V/I转换电路、混频电路、中频缓冲电路,并且内部集成了高性能I/Q信号产生电路。此外,该解调器可以通过电流调控引脚对芯片工作电流进行调整从而实现三阶交调截取点和噪声系数的折中。该电路本振、射频端口可以工作在0.7-2.7 GHz范围内,在2.7 GHz工作频率下,输入三阶截点为26 dBm,噪声系数15.5 dB,1 dB压缩点输入功率为10.3 dBm。在5 V电源电压下,电流调控引脚悬空,芯片使能端有效的条件下,芯片工作电流为227 mA。该I/Q解调器电路采用0.35μm CMOS工艺设计,芯片面积约为3.8 mm2。
- 李国军刘利平
- 关键词：I/Q解调器混频器CMOS
