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李硕

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金国家大学生创新性实验计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇多层结构
  • 1篇隧穿
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋极化
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇半导体

机构

  • 1篇内蒙古大学

作者

  • 1篇宫箭
  • 1篇李贺年
  • 1篇杨明
  • 1篇李硕

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿被引量：2
2010年
采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运。在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性。磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影响是不同的：对于自旋向上情况,出现双共振向单共振转换现象。
杨明宫箭李贺年李硕
关键词：稀磁半导体自旋极化共振隧穿
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共1页<1>
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