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杨颖

作品数:1 被引量:6H指数:1
供职机构:辽宁大学物理系更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇优化设计
  • 1篇终端
  • 1篇结终端
  • 1篇击穿电压
  • 1篇VDMOSF...

机构

  • 1篇辽宁大学

作者

  • 1篇林爽
  • 1篇孙嘉兴
  • 1篇杨颖

传媒

  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
VDMOSFET的终端优化设计被引量:6
2006年
主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用.
孙嘉兴杨颖林爽
关键词:VDMOSFET结终端击穿电压
共1页<1>
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