张敏
- 作品数:4 被引量:5H指数:1
- 供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 适用于毫米波分频器的在片测试系统及测试方法
- 本发明是一种适用于毫米波分频器的在片测试系统,其结构包括处理器、探针台、信号源、扩频模块、频谱仪、电源、直流探卡、左探针系统、右探针系统;其测试方法,包括如下步骤:1)测试分频器芯片输出端到频谱仪连接过程中的链路损耗;2...
- 陆海燕程伟张敏
- 文献传递
- InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS被引量:1
- 2020年
- 介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速度优势。为降低功耗,采用了简化的流水线相位累加器。在整个频率控制字范围内,测试得到的平均无杂散动态范围为24.8 dBc。该电路由2122个晶体管组成,功耗为2.4 W,其优值系数为5.83 GHz/W。
- 张翼李晓鹏李晓鹏张敏张有涛张敏GUO Yu-feng
- 关键词:直接数字频率合成器数模转换器相位累加器
- 基于InP双异质结双极型晶体管工艺的超宽带低相噪可编程分频器被引量:1
- 2020年
- 实现了一款高性能超宽带低相噪可编程分频器芯片,内部分频模块采用电流模式逻辑结构的数字分频原理实现。芯片采用三路外部信号对内部分频模块及开关组进行选通、控制,实现1、2、4、8四种分频比的切换。对内部单元进行了设计优化以提高芯片宽频带内的整体性能。该芯片采用0.7μm InP DHBT工艺实现,测试结果显示在1~40 GHz超宽带范围内,其输入功率可覆盖-10^+8 dBm,高载波下相位噪声可低至-145 dBc/Hz,最大功耗0.63 W。该芯片拥有完整的电路架构,宽带工作性能优良且有较低的相位噪声,可直接应用于超宽带频率源系统。
- 张敏孟桥张敏孟桥李晓鹏
- 关键词:分频器磷化铟超宽带低相噪
- 照明用OLED技术进展被引量:3
- 2013年
- OLED最初是用于平板显示的,但近年来OLED在照明方面也取得了明显的进步。在照明领域,OLED正在蓄势待发。文章回顾了近年来照明用OLED的技术进展,并介绍了国内外最新成果。
- 张敏
- 关键词:有机电致发光器件