曾一明
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目中科院重大科研装备研制项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- Si3N4晶体的压电性能计算预测
- Si3N4具有化学稳定性好、电阻率高、机械性能好等许多优越物性1,广泛应用于结构陶瓷、微电子器件等领域,如用于压电微型电动机2、压电微机械图像传感3、双压电晶片等。目前对Si3N4的研究主要集中在薄膜制备方面,运用第一性...
- 曾一明郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 掺镁近计量比铌酸锂晶体的生长及表征
- 铌酸锂晶体具有优异的电光、声光、压电及非线性光学性能,在电光和非线性光学器件领域有着广泛的应用前景。在现实应用中为了满足不同应用场合的需要,要求电光器件和非线性光学器件能在很宽的频率范围内工作,也就是说需要采用非线性光学...
- 涂小牛郑燕青陈辉孔海宽忻隽曾一明施尔畏
- 文献传递
- Na2SiF6压电性的第一性原理研究
- Na2SiF6是一种三方结构的极性相化合物[1],在化学工艺中多用作前驱物,人们对其化学性质了解较多,而物理性质研究很少。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对Na2SiF6晶体(点群32、空间群P321)的压电性能进行...
- 曾一明郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征被引量：2
- 2010年
- 采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度△n、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308 nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达△n<5.11×10^(-5).在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.
- 涂小牛郑燕青陈辉孔海宽忻隽曾一明施尔畏
- 关键词：畴结构光学均匀性
- Si_3N_4晶体的压电性能第一性原理研究被引量：1
- 2011年
- Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究.对于α相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0.5566nm,弹性刚度系数c11=4.232×1011N/m2、c33=4.615×1011N/m2,压电应变常量d33=0.402pC/N;而对于β相,a=0.7536nm、c=0.2874nm,弹性刚度系数c11=4.241×1011N/m2、c33=5.599×1011N/m2,压电应变常量则几乎为零.分析表明Si3N4的α、β两相均为高硬高强材料,这与其结构由四面体组成的网络架构有关.而Si3N4高低温相的压电性能都很差,特别是β相的压电系数几乎为零,这与其结构的对称性有关,高温相结构的对称性更高,形变引起的离子位移响应抵消更多.
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- 关键词：SI3N4压电性能第一性原理晶体结构
- 高均匀性高掺镁铌酸锂晶体生长及表征
- 铌酸锂晶体具有优异的电光、声光、压电及非线性光学性能,是一种广泛用于制作光学功能器件的铁电晶体,尤其在准相位匹配非线性光学应用中作为制作周期极化光栅的铁电基板材料,近年来激起了研究的热潮。对于电光和非线性光学器件方面的应...
- 涂小牛郑燕青陈辉孔海宽忻隽曾一明施尔畏
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- 频率转换用YCOB晶体的生长和研究
- YCa4O(BO3)3(YCOB)晶体是一种用途比较广泛的功能晶体,YCOB晶体凭借其在非线性光学性能、单晶体制备难易程度、抗光损伤能力等诸多方面的平衡表现,成为一种重要的频率转换用非线性光学晶体材料1。除此之外,YCO...
- 忻隽郑燕青孔海宽陈辉涂小牛曾一明施尔畏
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- LGS和LGT晶体生长与性能表征
- 硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体最早由前苏联科学家Kaminski等1在上世纪80年代初作为激光晶体基质材料进行了报道,随着Andree等2报道了LGS晶体具有零温度系数切型,近三十年来,围绕其压电性能人们...
- 孔海宽郑燕青忻隽陈辉涂小牛曾一明施尔畏
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- Ca3TaAl3Si2O14晶体的理论和实验研究
- 石英晶体凭借其低廉的价格长期主导着非铁电压电材料领域的市场,但是,随着无线通讯技术的不断发展,石英晶体压电性能较差的缺点逐渐成为了技术发展的瓶颈所在。因此,寻找石英晶体的替代品已经成为迫切需要解决的问题。近年来,硅酸鎵镧...
- 忻隽郑燕青孔海宽陈辉涂小牛曾一明施尔畏
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- 硅酸镓镧族晶体的理论筛选、生长与应用
- 硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体最早由前苏联科学家Kaminski等1在上世纪80年代初作为激光晶体基质材料进行了报道,随着Andree等2报道了LGS晶体具有零温度系数切型,近三十年来,围绕其压电性能人们...
- 郑燕青孔海宽忻隽陈辉涂小牛曾一明施尔畏
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