李春静
- 作品数：6 被引量：27H指数：2
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程化学工程一般工业技术更多>>
- 钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究
- 钙钛矿材料因其带隙可调、成本低的特点而成为硅基叠层太阳能电池的顶电池的最佳材料,且带隙在1.6.8eV之间的钙钛矿更适合用于硅基叠层太阳能电池中,同时降低了硅基电池的制备成本。本文主要选用大气环境下性能稳定且带隙为1.7...
- 李春静
- 关键词：隧道结
- 文献传递
- 层状二硫化钼材料的制备和应用进展被引量：19
- 2017年
- 二硫化钼(MoS2)是具有天然可调控带隙的二维层状材料,其独特的性质引起了科研人员的广泛关注,在微电子及光电领域具有重要的应用前景。介绍了MoS2的基本性质和常用制备方法,对层状MoS2材料在电子和光电子器件方面的应用进行了总结和展望。
- 马浩杨瑞霞李春静
- 关键词：MOS2光电子器件
- 退火温度对Ag/VO_x/Al阻变存储器性能的影响被引量：1
- 2017年
- 阻变存储器(RRAM)是下一代最有潜力的非易失性存储器。利用磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射方法制备了一种Ag/VO_x/Al结构的RRAM。使用半导体参数分析仪(Agilent B1500A)测试了器件的电学特性,器件具有双极阻变特性。器件的高阻态的传输机制为空间电荷限制电流(SCLC)机制,低阻态的传输机制为欧姆机制,器件的阻变机制为金属导电细丝机制。研究了不同退火温度(150~300℃)对Ag/VO_x/Al器件阻变性能的影响。研究表明,不同退火温度不仅会影响VO_x薄膜的表面形貌与晶面组成,而且会影响器件的电学性能,在退火温度为200℃时器件的阻变窗口最大,而在300℃时器件的耐久性最优秀。适当的退火温度有益于改善器件的阻变性能。
- 夏梦僧杨瑞霞李春静韩应宽马浩
- 关键词：磁控溅射退火温度
- 化学气相沉积制备大面积高质量石墨烯的研究进展被引量：6
- 2017年
- 石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了CVD方法制备大面积、高质量石墨烯的影响因素,包括衬底、碳源及生长条件(气体流量、生长温度、等离子体功率、生长压强、沉积时间、冷却速率等)。最后展望了CVD方法制备石墨烯的发展方向。
- 石晓东王伟尹强李春静
- 关键词：石墨烯化学气相沉积衬底碳源
- Ta_2O_5-PMMA复合栅绝缘层对OFETs性能的影响（英文）被引量：1
- 2017年
- 选用五氧化二钽(Ta_2O_5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在Ta_2O_5表面旋涂一层PMMA可以降低栅绝缘层的表面粗糙度,增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在20~60 nm范围内的PMMA对复合绝缘层表面形貌、粗糙度以及器件电学性能的影响。结果表明,当PMMA厚度为40 nm时,器件的电学性能最佳。与单一的Ta_2O_5栅绝缘层器件相比,其场效迁移率由4.2×10^(-2)cm^2/(V·s)提高到0.31 cm^2/(V·s);栅电压增加到-20 V时,开关电流比由2.9×10~2增大到2.9×10~5。
- 石晓东王伟李春静任利鹏尹强
- 关键词：绝缘层迁移率
- 钙钛矿叠层太阳电池结构与性能优化:模型预测和实验研究
- 2016年
- 随着光电性质优越的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料的快速发展,钙钛矿太阳电池受到了众多研究者的关注,以钙钛矿太阳电池作为顶层电池的叠层电池也受到了研究者的重视。经研究发现这种叠层电池的光电转换效率理论值高于35%,并且制作成本低,生产工艺简单,从而有可能孕育出光伏器件发展的新突破。主要介绍钙钛矿叠层太阳电池的结构、工艺制备,及其性能、效率等方面的最新进展。
- 金慧娇田汉民李春静戎小莹张天
- 关键词：钙钛矿硅太阳能电池
