潘东
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
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- 基于亚波长光栅的高性能定向耦合器的研究
- 2023年
- 在SOI平台上提出并设计了一种基于亚波长光栅(SWG)和非对称耦合型(ADC)波导的高带宽低损耗的定向耦合器。SWG结构嵌入在两条波导之间,可以有效提高TE模式的耦合强度。通过优化分析选择器件参数,并通过调整耦合区长度实现了不同功率分束比,包括50%/50%、60%/40%、70%/30%、80%/20%、90%/10%。在不同分束比下带宽均超过100 nm,插入损耗均小于0.3 dB,部分分束比下带宽大于150 nm,插入损耗小于0.2 dB。器件最小耦合区尺寸仅为7.4μm×1.2μm。
- 潘东
- 关键词：光子集成电路SOI亚波长光栅定向耦合器
- 双有源层a-IGZO/a-IZO界面态对薄膜晶体管电学特性影响的模拟研究
- 2019年
- 利用仿真软件Silvaco对双有源层非晶氧化物薄膜晶体管a-IGZO/a-IZO TFT进行模拟,研究了不同有源层厚度比下a-IGZO/a-IZO界面态对器件阈值电压与亚阈值摆幅的影响,分析了界面态密度的变化对器件阈值电压的影响。仿真结果表明:界面态的存在会使器件的阈值电压和亚阈值摆幅增大,界面导带尾态密度和界面价带尾态密度均为2×10^11 cm^-2/eV且a-IZO层厚度为5 nm时界面态对这两个参数的影响最大,变化幅度分别为1.02 V和0.11 V/dec,界面导带尾态密度和尾态特征斜率的增大都会造器件阈值电压的增大。
- 李俊杰向超彭小毛潘东钟传杰
- 关键词：界面态
- 双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真被引量：2
- 2017年
- 采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。
- 彭云霞潘东钟传杰
- 关键词：态密度
- a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究
- 2018年
- 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20∶20时,该TFT的电学性能最优。阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×1014。双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2cm2/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT。
- 潘东向超殷波李勇男汤猛钟传杰
- 关键词：异质结态密度
- 溶液法制备IGZO/IZO薄膜的电学特性研究
- 2018年
- 基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性。结果表明,在相同制作工艺下,IGZO单层薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移不明显,而双层IGZO/IZO薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移较大。退火温度在240℃~300℃范围内,电流的偏移量随温度升高而减小,回滞幅度也减小。薄膜的界面态对薄膜器件的I-V特性有较大影响,升高退火温度可改善IGZO/IZO双层薄膜界面特性。
- 殷波李勇男潘东汤猛向超钟传杰
- 关键词：溶液法退火IGZO界面态
- 高压退火气氛对溶液法制备a-IGZO薄膜光学特性的影响
- 2018年
- 利用椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜,研究了相同温度下不同退火气氛及压强处理对溶液旋涂法制备a-IGZO光学特性和薄膜微观结构的影响。实验结果表明,当退火气氛为O_2时,压强由0.1MPa增加到1.5MPa,薄膜的光学带隙由3.23eV增大到3.31eV,表面粗糙层由6.77nm降低到4.77nm。与N_2气氛相比,1.5MPa O_2气氛下薄膜的光学带隙有所提高,表面粗糙度也有所降低。因此,在1.5MPa O_2气氛下,可以有效降低薄膜内部有机物的残留及缺陷,形成更加致密的非晶a-IGZO薄膜。
- 李勇男向超殷波潘东汤猛钟传杰
- 关键词：椭圆偏振光谱溶液法
- 基于亚波长光栅的超紧凑高宽带1X2功率分配器
- 2023年
- 集成光功率分配器是一种重要的片上光功能器件,本文在绝缘硅平台上研究设计了一种基于非对称定向耦合器的超紧凑高宽带1X23dB光功率分配器。器件使用了传统的定向耦合波导与非对称定向耦合波导级联,并嵌入亚波长光栅结构来平衡TE和TM偏振的耦合系数并减小器件的尺寸。该器件具有结构紧凑和偏振不敏感的特性,耦合区域尺寸为7.7μm×1.24μm。当功率分束比位于3 dB±0.5 dB范围下,器件的工作带宽为1530 nm-1730 nm,展现出了优越的高带宽分束性能。
- 潘东
- 关键词：集成光学SOI光功率分配器
