胡楠
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信机械工程更多>>
- 带本征薄层异质结太阳电池的最新进展
- 体Si衬底上生长非晶Si薄层的带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池,具有制备工艺温度低、转换效率高、温度特性好等优点,是低价高效太阳能电池的一种.根据HIT相关文献,从HIT太阳能电池的原理、结构、制备工艺等角度,分...
- 于倩张德贤蔡宏琨苏超胡楠吴限量
- 关键词：异质结太阳电池参数优化产品质量
- 退火处理对磁控溅射ITO薄膜性能的影响
- ITO具有体心立方铁锰矿结构,是一种重掺杂、高简并的n型半导体,由于其具有导电性能好(电阻率约为10-4Ω·cm)、可见光透过高(高于85％)等优良的光电特性而备受亲睐。与其他透明导电氧化物相比,ITO的光电性...
- 胡楠张德贤蔡宏琨许帅家吴限量苏超于倩
- 关键词：磁控溅射热退火ITO
- 背接触势垒对a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池性能的影响
- 2014年
- 由载流子输运理论推出a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池的背接触势垒是其J-V曲线出现S-shape现象的原因之一,此时电池内部存在两个串联反偏的二极管,阻碍载流子输运。通过模拟计算验证该结论,发现硅基异质结太阳电池背接触产生的肖特基势垒高度存在最大临界值,高于此值则电池的开路电压、填充因子和转换效率会急剧衰减,而短路电流密度基本不变。
- 王奉友张德贤蔡宏琨苏超于倩胡楠
- 关键词：异质结太阳电池背接触模拟计算
- Te掺杂GaSb薄膜的性能研究
- GaSb是制备热光伏电池的重要材料之一,其具有带隙小,吸收系数高,电导率高的特点,非常符合热光伏材料的需求。在无掺杂的情况下,GaSb的导电类型为P型,如要做成GaSb的同质结电池,需要引入高价元素作为掺杂源。
- 吴限量张德贤蔡宏琨胡楠苏超于倩
