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凌宏志

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:长春理工大学化学与环境工程学院更多>>
发文基金:吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电化学性能
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米棒阵列
  • 1篇化学性能
  • 1篇光电化学
  • 1篇光电化学性能
  • 1篇CDSE

机构

  • 1篇长春理工大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 1篇杨海滨
  • 1篇孙晶
  • 1篇董群
  • 1篇李云辉
  • 1篇王硕
  • 1篇凌宏志
  • 1篇丁娟
  • 1篇张鑫

传媒

  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
CdSe纳米棒阵列的制备及其光电化学性能被引量:1
2016年
在室温条件下,用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)基底表面生长CdSe纳米棒阵列,并利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线(EDX)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征CdSe纳米棒阵列的晶体结构和表面形貌,考察其光电化学性能;在标准三电极体系下,测试CdSe纳米棒阵列电极的光电化学性能.结果表明:样品沿[001]方向择优生长,并具有明显的光响应特性;在光强为100 mW/cm^2的模拟太阳光照射下,该电极光电流密度Jsc=2.93 mA/cm^2,开路电压Voc=1.16 V,填充因子FF=0.278,该电池的光电转化效率η=0.947%.
田乐成杨海滨李云辉绍晶孙晶董群凌宏志王硕温祖旺张鑫丁娟
关键词:电化学沉积光电化学性能
共1页<1>
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