夏中高
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 温度对SiO_2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口"。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。
- 夏中高王茺鲁植全李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射SIO2薄膜
- 缓冲层厚度对Ge／Si多层膜的影响被引量：2
- 2009年
- 采用离子束溅射技术,通过改变Si缓冲层厚度,在p型Si衬底生长了一系列的Ge/Si多层膜样品。利用Raman光谱、X射线小角衍射以及原子力显微镜等分析测试技术,研究了多层薄膜的结晶、膜层结构、表面形貌等性质。结果表明:通过引入缓冲层,在一定程度上可以提高颗粒的结晶性;随着缓冲层逐渐沉积,来自界面态的影响有了明显的减弱,且多层膜结构的生长得到有效改善。红外吸收光谱实验表明多层膜的吸收特性与其周期结构密切相关,因此可以通过改变缓冲层厚度的方法,实现对多层薄膜红外吸收特性的调制。
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- 关键词：缓冲层颗粒尺寸红外吸收
