您的位置： 专家智库 > >

张克智

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：常州大学更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇SUB
  • 6篇导体
  • 6篇电池
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体薄膜
  • 4篇钠钙玻璃
  • 3篇前躯体
  • 2篇旋涂
  • 2篇旋涂法
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇中高温
  • 2篇四氯化锡
  • 2篇太阳电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇同质结
  • 2篇迁移率
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化锡

机构

  • 8篇常州大学

作者

  • 8篇丁建宁
  • 8篇袁宁一
  • 8篇张克智
  • 4篇李燕
  • 2篇王书博

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
一种利用低温溶液反应制备SnO<Sub>2</Sub>薄膜的方法及用其制备钙钛矿太阳能电池的方法
本发明涉及利用低温溶液反应制备SnO<Sub>2</Sub>薄膜的方法，首先制备四氯化锡水溶液，然后制备电子传输层SnO<Sub>2</Sub>薄膜。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，在FTO导电玻璃基底上利用...
丁建宁袁宁一马志杰张克智王书博贾旭光
文献传递
一种利用低温溶液反应制备SnO<Sub>2</Sub>薄膜的方法及用其制备钙钛矿太阳能电池的方法
本发明涉及利用低温溶液反应制备SnO<Sub>2</Sub>薄膜的方法，首先制备四氯化锡水溶液，然后制备电子传输层SnO<Sub>2</Sub>薄膜。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，在FTO导电玻璃基底上利用...
丁建宁袁宁一马志杰张克智王书博贾旭光
文献传递
一种提高Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜载流子迁移率的方法
本发明涉及薄膜太阳电池制备技术领域，特指一种提高Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜载流子迁移率的方法。其特征在于：在清洗后钠钙玻璃(SLG)上制备Si薄膜，在Si薄膜上制备CZT前驱...
丁建宁郭华飞袁宁一张克智李燕
一种提高Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜载流子迁移率的方法
本发明涉及薄膜太阳电池制备技术领域，特指一种提高Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜载流子迁移率的方法。其特征在于：在清洗后钠钙玻璃(SLG)上制备Si薄膜，在Si薄膜上制备CZT前驱...
丁建宁郭华飞袁宁一张克智李燕
文献传递
一种制备Ag&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;ZnSnS&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;同质结薄膜电池的方法
本发明涉及一种制备Ag<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>同质结薄膜电池的方法，首先，提供SLG衬底；在所述SLG衬底上磁控溅射Mo靶材形成Mo电极层；然后，在所述Mo电极层上依次溅射SnS、ZnS...
丁建宁马昌昊袁宁一郭华飞张克智
一种制备Ag<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>同质结薄膜电池的方法
本发明涉及一种制备Ag<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>同质结薄膜电池的方法，首先，提供SLG衬底；在所述SLG衬底上磁控溅射Mo靶材形成Mo电极层；然后，在所述Mo电极层上依次溅射SnS、ZnS...
丁建宁马昌昊袁宁一郭华飞张克智
文献传递
一种半导体Cu<Sub>2</Sub>ZnTiS<Sub>4</Sub>薄膜材料及其制备方法
本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域，特指一种半导体Cu<Sub>2</Sub>ZnTiS<Sub>4</Sub>薄膜材料及其制备方法。采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、Ti制...
丁建宁郭华飞袁宁一张克智李燕
文献传递
一种半导体Cu&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;ZnTiS&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;薄膜材料及其制备方法
本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域，特指一种新型半导体Cu<Sub>2</Sub>ZnTiS<Sub>4</Sub>薄膜材料及其制备方法。采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、T...
丁建宁郭华飞袁宁一张克智李燕
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0