白晓宇
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- HIT电池缓冲层的关键技术发展概述
- 2013年
- HIT电池由日本Sanyo公司于1990年提出,目前已达到23.7%的最高效率。HIT电池制备的关键技术在于其本征缓冲层的工艺。大量研究表明本征硅薄膜缓冲层在硅片上沉积时很容易发生外延生长。对于外延生长影响的认识存在着很大争议,有学者认为其中含有大量缺陷态,会降低电池性能,并提出了完全阻止外延生长的新结构,但也有学者认为恰恰是外延结构真正起到了钝化界面的作用。分析认为,不同甚至相互矛盾的实验结果可能与外延结构生长时缺陷态密度的控制有关,外延结构不是影响电池性能的关键,外延结构中的缺陷态密度才是影响电池性能的重要因素。
- 白晓宇郭群超李红波
- 关键词：缓冲层
- PECVD法生长晶化硅薄膜的机理被引量：4
- 2013年
- 硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。
- 白晓宇郭群超柳琴庞宏杰张滢清李红波
- 关键词：硅薄膜晶化
