2025年1月25日
星期六
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
曲鹏
作品数:
2
被引量:6
H指数:2
供职机构:
上海交通大学微纳科学技术研究院
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
更多>>
相关领域:
理学
一般工业技术
更多>>
合作作者
张亚非
上海交通大学微纳科学技术研究院
王英
上海交通大学微纳科学技术研究院
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
中文期刊文章
领域
2篇
一般工业技术
2篇
理学
主题
2篇
扫描电子显微...
2篇
纳米
2篇
金纳米粒子
2篇
LB技术
1篇
单层膜
1篇
电子技术
1篇
原子力显微镜
1篇
SEM
1篇
I-V特性
机构
2篇
上海交通大学
作者
2篇
王英
2篇
张亚非
2篇
曲鹏
传媒
1篇
电子元件与材...
1篇
微纳电子技术
年份
2篇
2006
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性
被引量:3
2006年
在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22~26mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si(100)基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。
曲鹏
王英
张亚非
关键词:
电子技术
金纳米粒子
LB技术
LB技术制备金纳米粒子单层膜
被引量:4
2006年
利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m~26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结果对于采用金纳米粒子单层膜构建DNA传感器和单电子器件方面具有重要的应用价值。
曲鹏
王英
张亚非
关键词:
金纳米粒子
LB技术
扫描电子显微镜
原子力显微镜
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张