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王秀君

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:中国科学院战略性先导科技专项中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:文化科学一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硼
  • 4篇气体
  • 4篇六方氮化硼
  • 4篇超导
  • 3篇异质结
  • 2篇氮化硼薄膜
  • 2篇异质结器件
  • 2篇正常态
  • 2篇熔化
  • 2篇图形化
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇气相沉积
  • 2篇外加磁场
  • 2篇量子
  • 2篇量子器件
  • 2篇纳米

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 10篇王浩敏
  • 10篇王秀君
  • 9篇谢晓明
  • 6篇谢红
  • 4篇贺立
  • 2篇江绵恒
  • 2篇张超
  • 2篇吴天如
  • 2篇卢光远
  • 1篇于广辉
  • 1篇宋三年
  • 1篇宋志棠
  • 1篇陈晨

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
石墨烯边界调控方法
本发明提供一种石墨烯边界的调控方法,包括骤:提供一绝缘衬底,并将绝缘衬底置于生长腔室中;向生长腔室中通入第一反应气体,且第一反应气体至少包括碳源气体,通过控制第一反应气体的流量,以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨...
王浩敏陈令修贺立王慧山谢红王秀君谢晓明
文献传递
多层六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)提供一衬底;2)提供含硼固态催化剂,将含硼固态催化剂置于衬底上;3)将含硼固态催化剂进行退火处理,以使得含硼固态催化剂熔化;4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环...
时志远吴天如卢光远王秀君张超王浩敏谢晓明
一种新型量子霍尔器件及其制备方法
本发明提供一种新型量子霍尔器件及其制备方法,包括:1)提供一衬底,在所述衬底表面形成第一超导薄膜层;2)在所述第一超导薄膜层表面覆盖第一介电薄膜层;3)然后在所述第一介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层...
王浩敏谢红王慧山王秀君谢晓明江绵恒
文献传递
一种相变存储单元及其制备方法
本发明提供一种相变存储单元及其制备方法,方法包括:于基底层上设置石墨烯层,于石墨烯层上设置封装层,石墨烯层的第一边界面设置第一电极层,相变材料层一端与石墨烯层的第二边界面形成电连接,另一端设置第二电极层。本发明通过石墨烯...
王浩敏王秀君宋三年于广辉宋志棠
多层六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)提供一衬底;2)提供含硼固态催化剂,将含硼固态催化剂置于衬底上;3)将含硼固态催化剂进行退火处理,以使得含硼固态催化剂熔化;4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环...
时志远吴天如卢光远王秀君张超王浩敏谢晓明
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一种新型量子霍尔器件及其制备方法
本发明提供一种新型量子霍尔器件及其制备方法,包括:1)提供一衬底,在所述衬底表面形成第一超导薄膜层;2)在所述第一超导薄膜层表面覆盖第一介电薄膜层;3)然后在所述第一介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层...
王浩敏谢红王慧山王秀君谢晓明江绵恒
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石墨烯边界调控方法
本发明提供一种石墨烯边界的调控方法,包括骤:提供一绝缘衬底,并将绝缘衬底置于生长腔室中;向生长腔室中通入第一反应气体,且第一反应气体至少包括碳源气体,通过控制第一反应气体的流量,以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨...
王浩敏陈令修贺立王慧山谢红王秀君谢晓明
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一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法
本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法,该方法提供衬底;在所述衬底上形成石墨烯;对所述石墨烯进行图形化,形成具有预设形状的沟槽;于所述沟槽内生长硒化铌,所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长,形成石墨烯‑硒化...
王浩敏谢红王慧山王秀君陈令修贺立谢晓明
文献传递
六方氮化硼层间气泡制备与压强研究
2021年
六方氮化硼(h-BN)具有六角网状晶格结构和高化学机械稳定性,可以用来封装气体并长期保持稳定,适合用作新型信息器件及微纳机电器件的衬底材料,具有巨大的应用前景.近期,科研人员发现氢原子可以无损穿透多层h-BN,在层间形成气泡,可用作微纳机电器件.本文研究了氢等离子体处理时间对h-BN气泡尺寸的影响.发现随着处理时间的延长,气泡尺寸整体变大且分布密集程度会降低.原子力显微镜的测量发现所制备的h-BN气泡具有相似的形貌特征,该特征与h-BN的杨氏模量和层间范德瓦耳斯作用相关.此外,发现微米尺寸气泡的内部压强约为1—2 MPa,纳米尺寸气泡的内部压强可达到GPa量级.
姜程鑫陈令修王慧山王秀君陈晨陈晨谢晓明
关键词:六方氮化硼等离子体处理
一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法
本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法,该方法提供衬底;在所述衬底上形成石墨烯;对所述石墨烯进行图形化,形成具有预设形状的沟槽;于所述沟槽内生长硒化铌,所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长,形成石墨烯‑硒化...
王浩敏谢红王慧山王秀君陈令修贺立谢晓明
共1页<1>
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