您的位置： 专家智库 > 作者详情>许震

许震

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电极
  • 2篇导电
  • 2篇电学隔离
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层结构
  • 2篇多态
  • 2篇区分度
  • 2篇相变材料
  • 2篇相变存储
  • 2篇相变存储器
  • 2篇料层
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇基板
  • 2篇层结构
  • 2篇存储器
  • 1篇电极表面
  • 1篇引出电极
  • 1篇相变
  • 1篇孔结构

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇宋志棠
  • 5篇许震
  • 3篇刘波
  • 2篇陈后鹏
  • 2篇高丹
  • 2篇雷宇
  • 2篇王维维
  • 1篇封松林

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
相关度排序
三维非易失性存储器件及其制造方法
本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结...
雷宇陈后鹏许震宋志棠
文献传递
包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法
本发明提供一种包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法，包括：1）提供衬底，在衬底内形成至少一个下电极；2）在下电极的上表面形成加热电极，在加热电极之间的衬底表面形成第一绝缘材料层；3）采用回刻工艺刻蚀去除部分...
刘波宋志棠许震封松林
文献传递
多态相变存储器单元器件及其制备方法
本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材...
许震刘波高丹王维维宋志棠詹奕鹏
三维非易失性存储器件及其制造方法
本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结...
雷宇陈后鹏许震宋志棠
文献传递
多态相变存储器单元器件及其制备方法
本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材...
许震刘波高丹王维维宋志棠詹奕鹏
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0