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钱航

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇存储器
  • 9篇闪存
  • 9篇闪存存储
  • 9篇闪存存储器
  • 6篇沟道
  • 5篇半导体存储
  • 4篇栅电极
  • 4篇介质层
  • 3篇隧穿
  • 3篇迁移率
  • 3篇非易失性
  • 3篇浮栅
  • 3篇半导体存储器
  • 2篇电介质
  • 2篇选通
  • 2篇应变硅
  • 2篇应变硅技术
  • 2篇栅结构
  • 2篇设置方式
  • 2篇屏蔽层

机构

  • 14篇华中科技大学

作者

  • 14篇钱航
  • 12篇缪向水
  • 12篇童浩

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硫系相变材料的场效应特性研究
相变材料能够在晶态与非晶态之间进行快速可逆转变;并且两态具有巨大的电学及光学性质差异;这一独特的性质使其不仅在光盘及相变存储器等领域得到应用;并且在非易失逻辑运算及类脑认知领域也有广泛的应用前景。但是;其大规模商业化仍然...
钱航
关键词：相变存储器
一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法
本发明属于半导体存储器领域，具体公开了一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法，其中应用于三维闪存的应变硅沟道由Si原子与Ge原子构成；该应变硅沟道设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串上，任意一个所述闪存存储串均呈...
缪向水钱航童浩
文献传递
一种基于钛钨合金栅电极的三维闪存存储器及其制备方法
本发明属于三维闪存制造领域，更具体地，涉及一种基于钛钨合金栅电极的三维闪存存储器及其制备方法。该三维闪存存储器包括三维交替层的堆叠体，所述交替层的堆叠体包括绝缘层和导电层，且位于基板之上；以及多个存储器堆叠体结构，其延伸...
缪向水钱航童浩
文献传递
一种非易失性三维半导体存储器
本实用新型公开了一种非易失性三维半导体存储器，包括多个垂直方向的三维NAND存储串，每一个三维NAND存储串包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的...
缪向水钱航童浩
文献传递
一种应用于三维闪存存储器的选通管及其制备方法
本发明属于半导体存储领域，具体公开了一种应用于三维闪存存储器的选通管及其制备方法，其中该选通管包括第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层以及选通功能层；该选通管设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串的顶端，并位于垂直沟道的正上...
缪向水钱航童浩
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基于纳米晶浮栅的三维非易失性半导体存储器及其制备方法
本发明属于三维闪存存储器制备领域，更具体地，涉及一种基于纳米晶浮栅的三维非易失性半导体存储器及其制备方法。该三维半导体存储器包括多个位于垂直方向的三维NAND存储串，每个三维NAND存储串包括半导体区域，以及围绕所述半导...
缪向水钱航童浩
文献传递
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法，包括多个垂直方向的三维NAND存储串，每一个三维NAND存储串包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导...
缪向水钱航童浩
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一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法
本发明属于半导体存储器领域，具体公开了一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法，其中应用于三维闪存的应变硅沟道由Si原子与Ge原子构成；该应变硅沟道设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串上，任意一个所述闪存存储串均呈...
缪向水钱航童浩
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一种基于钛钨合金栅电极的三维闪存存储器及其制备方法
本发明属于三维闪存制造领域，更具体地，涉及一种基于钛钨合金栅电极的三维闪存存储器及其制备方法。该三维闪存存储器包括三维交替层的堆叠体，所述交替层的堆叠体包括绝缘层和导电层，且位于基板之上；以及多个存储器堆叠体结构，其延伸...
缪向水钱航童浩
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非关联企业间委托贷款的风险研究——基于“香溢融通”的案例分析
近年来，商业银行普遍收紧了对中小企业的信贷投放，中小企业融资难的问题日益明显，但同时市场上也有不少优质企业手持大量的闲置资金。委托贷款的出现在一定程度上解决这些问题。香溢融通是最早发放非关联委托贷款的公司之一，有着多年的...
钱航
关键词：委托贷款风险管理
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共2页<12>
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