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X波段GaN MMIC低噪声放大器设计被引量：3: 2015年; 采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。放大器采用三级级联拓扑,第一级采用源极电感匹配,在确保良好的输入回波损耗的同时优化放大器噪声系数;第三级采用电阻电容串联负反馈匹配,在尽量降低噪声系数的前提下,保证良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率。在片测试表明,在10 V漏级电压、-2 V栅极电压偏置下,放大器静态电流为60 m A,8~12 GHz内增益为22.5 d B,增益平坦度为±1.2 d B,输入输出回波损耗均优于-11 d B,噪声系数小于1.55 d B,1 d B增益压缩点输出功率大于11.9 d Bm,其芯片尺寸为2.2 mm×1.1 mm。装配测试表明,噪声系数典型值小于1.6 d B,可承受33 d Bm连续波输入功率。该X波段Ga N低噪声放大器与高功率放大器工艺兼容,可以实现多功能集成,具有广阔的工程应用前景。; 刘飞飞要志宏宋学峰刘帅; 关键词：X波段

一种3D集成芯片及其制备方法: 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线...; 王磊杨彦锋徐达常青松祁广峰张延青要志宏白银超崔亮刘飞飞杨楠高显; 文献传递

氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法: 本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PI...; 吕元杰梁士雄郝晓林宋洁晶胡泽先刘飞飞刘京亮徐森锋卜爱民冯志红

自偏置结构、可变电流放大器及电子装置: 本发明提供一种自偏置结构、可变电流放大器及电子装置，其中，自偏置结构包括旁路电容、插入源电阻、多个焊盘和多个片外电阻器；旁路电容的一端与接地孔连接，另一端用于与晶体管的源极连接；插入源电阻的一端与接地孔连接；多个焊盘至少...; 任健崔亮王磊杨琦戴剑陈南庭宋学峰郝俊祥王海龙刘飞飞杨楠冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达曾雁声吴浩洋王学孟赵广营

一种限幅低噪声放大器芯片结构: 本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述限幅低噪声放大器芯片结构包括：限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上...; 任健刘帅白银超戴剑王磊赵瑞华潘海波崔亮刘飞飞杨琦杨丹丹谷腾飞李佩姿; 文献传递

一种3D集成芯片及其制备方法: 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线...; 王磊杨彦锋徐达常青松祁广峰张延青要志宏白银超崔亮刘飞飞杨楠高显; 文献传递

电流复用低噪声放大器及集成电路: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配...; 杨楠刘飞飞戴剑崔亮王磊宋学峰杨琦陈南庭王凯王海龙任健俊祥曾雁声晗琛成立鑫张忠山

氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器: 本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N<Sup>‑</Sup>GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N<Sup>‑</Sup>GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀...; 吕元杰梁士雄郝晓林宋洁晶胡泽先刘飞飞刘京亮徐森锋卜爱民冯志红

双频低噪声放大电路: 本发明提供一种双频低噪声放大电路。该双频低噪声放大电路包括：第一放大支路以及第二放大支路；第一放大支路与第二放大支路并联连接；第一放大支路的输入端与第二放大支路的输入端作为双频低噪声放大电路的输入端；第一放大支路的输出端...; 刘飞飞任健郝俊祥戴剑崔亮王磊宋学峰杨琦陈南庭王海龙杨楠曾雁声冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达吴浩洋

一种滤波限幅器及雷达接收系统: 本申请适用于无线电系统电路技术领域，提供了一种滤波限幅器及雷达接收系统。该滤波限幅器包括：输入谐振单元、中间谐振单元和输出谐振单元；输入谐振单元包括第一电感；输出谐振单元包括第二电感；中间谐振单元包括第三电感和第四电感；...; 王生明邓世雄高长征罗建陈书宾刘飞飞孙计永孙一航马维龙王磊宋雪峰王乔楠陈帅

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刘飞飞