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张红林

作品数:3 被引量:6H指数:1
供职机构:重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇太赫兹
  • 2篇激光
  • 2篇赫兹
  • 1篇调制
  • 1篇调制特性
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态特性
  • 1篇瞬态响应
  • 1篇速率方程
  • 1篇太赫兹波
  • 1篇太赫兹辐射
  • 1篇特性分析
  • 1篇锑化铟
  • 1篇量子点
  • 1篇量子点激光器
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲抽运
  • 1篇慢波
  • 1篇晶体
  • 1篇激光器

机构

  • 3篇重庆邮电大学

作者

  • 3篇潘武
  • 3篇张红林
  • 1篇黄书璘
  • 1篇程彩玲
  • 1篇邓珊
  • 1篇刘子辰

传媒

  • 1篇激光技术
  • 1篇激光与红外
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
矩形缺陷光子晶体太赫兹波波导的慢波特性被引量:6
2014年
设计了一种工作于太赫兹波段的矩形孔缺陷光子晶体慢波波导。首先分析三角空气孔型光子晶体的带隙特性,引入线缺陷形成波导,并将邻近缺陷空气孔设为矩形,通过分析矩形孔尺寸对波导的带隙结构、群速度的影响,确定孔尺寸;研究缺陷宽度对缺陷模式的影响,并通过优化将缺陷模式频率移到目标频率338 GHz处,最终在布里渊边界处实现了c0/1543(c0=3×108m/s)的低群速度,证明了矩形缺陷光子晶体太赫兹波导良好的慢波特性。
潘武徐政珂张红林邓珊刘子辰
关键词:光子晶体太赫兹慢波光子带隙波导
InSb光电导太赫兹源材料性质及辐射场研究
2015年
为了研究锑化铟(In Sb)半导体材料光电导太赫兹辐射过程,用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流,以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响,用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流,比较了In Sb和Ga As材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明,In Sb材料载流子弛豫时间越长,载流子迁移率越大;表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比;宏观电磁场理论更适于分析表面电流;抽运激光饱和能量密度越大,太赫兹近场辐射强度越强;抽运激光脉冲宽度越短,太赫兹近场辐射强度越强;In Sb光电导辐射太赫兹波功率比Ga As高。该结果为基于In Sb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。
潘武张红林徐政珂黄书璘
关键词:激光物理太赫兹辐射
量子点激光器瞬态响应及调制特性分析
2015年
基于二能级系统建立量子点激光器的载流子-光子速率方程模型,分析量子点激光器的瞬态响应和调制特性,获得其动态特性。同时分析了注入电流对量子点激光器输出光子密度的影响,随着注入电流的增大,激光器光电延迟时间缩短,弛豫过程缩短,弛豫振荡频率增大,且输出光子峰值和稳态功率增加,适当增加注入电流可拓宽量子点激光器调制带宽。通过小信号调制分析,发现量子点激光器上限调制频率比普通激光器高一个数量级,证明了其具有良好的高频调制特性。
潘武徐政珂程彩玲张红林
关键词:量子点激光器速率方程瞬态特性调制特性
共1页<1>
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