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徐千山
作品数:
3
被引量:1
H指数:1
供职机构:
武汉科技大学理学院应用物理系
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发文基金:
湖北省教育厅科学技术研究项目
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相关领域:
理学
一般工业技术
电子电信
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合作作者
陈克亮
武汉科技大学理学院应用物理系
卓雯
武汉科技大学理学院应用物理系
张仁刚
武汉科技大学理学院应用物理系
王玉华
武汉科技大学理学院应用物理系
彭顺金
武汉科技大学理学院应用物理系
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ZNS薄膜
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和光
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半导体
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磁控
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磁控溅射
1篇
ZNS
机构
3篇
武汉科技大学
作者
3篇
张仁刚
3篇
卓雯
3篇
陈克亮
3篇
徐千山
1篇
王登京
1篇
彭顺金
1篇
王玉华
传媒
1篇
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人工晶体学报
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电子元件与材...
年份
3篇
2013
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气相法制备ZnS薄膜材料研究进展
2013年
综述了近几年ZnS薄膜材料的气相沉积制备方法及其应用,主要讨论了真空蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积等制备方法的最新研究进展,指出了ZnS薄膜的各种气相沉积方法的优点和不足以及今后的发展趋势。
张仁刚
卓雯
陈克亮
徐千山
关键词:
ZNS薄膜
气相沉积
硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
2013年
采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(sEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1100am波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70eV。
张仁刚
卓雯
王登京
陈克亮
徐千山
关键词:
半导体
ZNS薄膜
磁控溅射
硫化
退火对硫化方法制备ZnS薄膜特性的影响
被引量:1
2013年
以反应磁控溅射方法沉积ZnO薄膜,然后在空气和H2S气氛中退火制备了六方相ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见透射光谱和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征。提高空气退火温度能够改善ZnS薄膜结晶性,而空气退火温度超过500℃则会降低ZnS薄膜结晶性。另外,当硫化退火温度低于400℃时,ZnO只能部分转变为ZnS,只有硫化温度等于或大于400℃时,ZnO才能全部转变为ZnS。硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化。所得ZnS薄膜在可见光范围的透过率约为80%,带隙为3.61~3.70 eV。
张仁刚
卓雯
王玉华
彭顺金
陈克亮
徐千山
关键词:
ZNS薄膜
溅射
硫化
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