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汤斌

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：大连理工大学电子信息与电气工程学部更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电子回旋共振
  • 1篇钝化
  • 1篇氧化膜
  • 1篇态密度
  • 1篇碳化硅
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇经时击穿
  • 1篇SI
  • 1篇WN
  • 1篇氮
  • 1篇CM
  • 1篇-B
  • 1篇GRAY

机构

  • 2篇大连理工大学

作者

  • 2篇秦福文
  • 2篇王德君
  • 2篇刘冰冰
  • 2篇汤斌
  • 1篇刘沙沙
  • 1篇朱巧智
  • 1篇李文波
  • 1篇刘道森

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究被引量：3
2013年
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69eV。使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底EC0.05～0.6eV范围内的界面态分布,其中距EC0.2eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1。实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性。
刘沙沙秦福文朱巧智刘冰冰汤斌王德君
关键词：界面态密度
电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响
2015年
SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析氮等离子体处理8min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。
汤斌李文波刘冰冰刘道森秦福文王德君
关键词：碳化硅
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共1页<1>
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