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王文秀

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇离子注入
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇N型
  • 1篇N型GAN
  • 1篇GAN
  • 1篇O

机构

  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇尤伟
  • 1篇刘正民
  • 1篇张小东
  • 1篇张利民
  • 1篇王文秀
  • 1篇葛琴

传媒

  • 1篇核技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究被引量：1
2008年
采用光致发光（Photoluminescence，PL）谱的测量，研究了10^13-10^17cm^-2。的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射（Yellow luminescence，YL）的影响，注入后的样品在流动N2的保护下进行退火，退火温度950℃，退火时间30min。对比相同剂量下N离子注入GaN黄光发射，结果表明O、C两种离子的注入在GaN中分别引入了与黄光发射相关的不同的深能级中心，当C离子注入剂量高达10^17cm^-2时，能引起黄光发射的C相关的深能级中心显著增多。
张利民张小东尤伟王文秀葛琴刘正民
关键词：GAN离子注入光致发光谱
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共1页<1>
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