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文献类型

  • 7篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 3篇抗辐射
  • 3篇抗辐射加固
  • 3篇反相器
  • 2篇电路
  • 2篇一体化封装
  • 2篇栅极
  • 2篇收发
  • 2篇收发器
  • 2篇输出缓冲器
  • 2篇输入电路
  • 2篇输入信号
  • 2篇逻辑
  • 2篇接收器
  • 2篇静电
  • 2篇缓冲器
  • 2篇集成电路
  • 2篇隔离式
  • 2篇光电
  • 2篇封装
  • 2篇ESD

机构

  • 13篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 13篇高兴国
  • 4篇徐青
  • 3篇杭丽
  • 3篇白璐
  • 2篇刘凡
  • 2篇邓江
  • 1篇孟华群
  • 1篇蒲林
  • 1篇黄晓宗
  • 1篇王鹏
  • 1篇苏晨
  • 1篇甘明富
  • 1篇王其超
  • 1篇蒲林

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇环境技术
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇2013‘全...
  • 1篇2013工业...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种CMOS功率开关反向电压保护电路被引量:2
2013年
接口电路通常采用CMOS功率开关作为输出缓冲电路,在实际应用中经常受到反向电压的冲击,因此,必须设计相应的反向电压保护电路,以保证CMOS功率开关的安全。提出了一种新型的反向电压保护电路,能够在反向电压冲击CMOS功率开关时提供合理的衬底电压和栅极电压,抑制反向电流,保障器件安全。该电路简洁有效,不影响电路的输出驱动能力和瞬态响应特性。采用0.6μm CMOS工艺,制作了一个包含保护电路的接口电路,测试结果表明,该保护电路能够在+12V反向电压下为功率开关提供良好保护。
高兴国苏晨刘凡邓江王其超
关键词:反向电压保护电路功率开关
基于一体化封装的光电隔离式收发器
本发明提供一种基于一体化封装的光电隔离式收发器,包括:采用一体化封装的光电隔离驱动单元与光电隔离接收单元,其中,所述光电隔离驱动单元输入端连接驱动信号,其输出端输出第一差分信号;所述光电隔离接收单元连接第二差分信号,将所...
岳东旭谢俊聃高兴国刘成鹏
文献传递
一种宽压输入信号的抗辐射加固逻辑输入电路
本发明属于集成电路领域,涉及一种宽压输入信号的抗辐射加固逻辑输入电路;包括主电路,所述主电路包括电阻、两个N型LDMOS管和两个反相器,电阻一端连接输入信号IN,电阻另一端连接两个N型LDMOS管的漏极,两个N型LDMO...
罗凯廖鹏飞徐青高兴国季睿何泓威蔡丽娜
一种高速GaN半桥栅极驱动器
本发明属于集成电路领域,具体涉及一种高速GaN半桥栅极驱动器,所述高速GaN半桥栅极驱动器由输入级1、输入级2、自举二极管D1、电平转化电路、缓冲级1、缓冲级2、功率管PM1、NM1、PM2、NM2组成;本发明通过电平转...
游超季睿张欢杭丽高兴国刘昱含
某输出缓冲器的失效分析
2014年
本文通过对某输出缓冲器在质量一致性检验中的ESD考核环节失效的情况进行分析,找到了产品测试系统的异常情况,通过此次分析,进一步发现该产品的ESD保护设计一直以来存在的问题。文中不仅给出了失效机理,同时提出了改进措施并加以验证。此次失效分析对于同类器件的ESD保护设计,提高其可靠性具有一定的借鉴意义。
蒲林高兴国白璐
关键词:输出缓冲器ESD静电
基于一体化封装的光电隔离式收发器
本发明提供一种基于一体化封装的光电隔离式收发器,包括:采用一体化封装的光电隔离驱动单元与光电隔离接收单元,其中,所述光电隔离驱动单元输入端连接驱动信号,其输出端输出第一差分信号;所述光电隔离接收单元连接第二差分信号,将所...
岳东旭谢俊聃高兴国刘成鹏
文献传递
一种宽压输入信号的抗辐射加固逻辑输入电路
本发明属于集成电路领域,涉及一种宽压输入信号的抗辐射加固逻辑输入电路;包括主电路,所述主电路包括电阻、两个N型LDMOS管和两个反相器,电阻一端连接输入信号IN,电阻另一端连接两个N型LDMOS管的漏极,两个N型LDMO...
罗凯廖鹏飞徐青高兴国季睿何泓威蔡丽娜
一种新型低开关噪声低过冲CMOS缓冲器的设计
2015年
通过分析CMOS缓冲器过冲及开关噪声的原理,提出了一种新型的低过冲、低开关噪声的缓冲器。该缓冲器采用两种驱动级并联,降低了开关噪声。部分输出级晶体管采用缓冲器结构,控制了输出过冲。该缓冲器简单有效,不需要引入反馈结构。采用0.6μm CMOS工艺设计,经仿真验证,电路具有良好的低开关噪声和低过冲特性。
邓江高兴国
关键词:输出缓冲器过冲CMOS工艺
一种用于电源管理的MOSFET驱动电路
本发明属于集成电路领域,特别涉及一种用于电源管理的MOSFET驱动电路,包括:Vref_LS内部电源模块、缓冲模块、第一反相器组、nmos加速电路、nmos管N1、Vref_HS内部电源模块、电平位移模块、第二反相器组、...
高兴国季睿刘凡杭丽徐青雷旭廖鹏飞杨丰蒲林郭艾刘婷曾欣杨光美杨凯
一种抗辐射加固RS485驱动器的设计被引量:1
2017年
RS485通信协议要求:RS485驱动器输出短路至-7~12 V时,短路电流应小于250 m A。常规短路保护电路采用高压MOS实现,由于高压MOS栅极氧化层厚度很大,无法满足抗总剂量辐射加固的要求。提出了一种新型的驱动器输出短路保护电路,该电路利用5 V低压MOS管实现,通过合理设计线路、版图,实现了良好的短路保护效果和抗总剂量辐射能力。电路采用0.8μm SOI CMOS工艺设计实现,常规及辐照测试结果证明了设计的正确性。
高兴国黄晓宗
关键词:总剂量辐射效应抗辐射加固
共2页<12>
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